[发明专利]半导体开关控制装置

权利要求书

1.一种半导体开关控制装置，其特征在于，包括：

第1半导体开关，其设置在电源的阳极和负载部之间，使从所述电源流向所述负载部的电流通过或者切断；

第2半导体开关，其设置在所述负载部和所述电源的阴极之间，根据施加的设定栅极电压来调整从所述负载部流向所述电源的电流，限制流过所述第1半导体开关的电流；

控制部，其控制所述第1半导体开关以及所述第2半导体开关，

所述控制部在将比异常电流值大并且比最大电流值小的电流值作为电流限制值的情况下，其中，所述异常电流值表示流过所述第1半导体开关的电流即第1半导体输入电流是过电流；所述最大电流值是比所述异常电流值大且所述第1半导体开关能够允许的电流的最大电流值，

将限制栅极电压作为所述设定栅极电压施加在所述第2半导体开关，其中，该限制栅极电压将所述第1半导体输入电流的电流值设定在所述电流限制值，

当所述第1半导体输入电流的电流值达到所述异常电流值时，在从达到所述异常电流值开始到所述第1半导体开关切断的切断判定时间内，在所述第1半导体输入电流的电流值不在所述异常电流值以下的情况下，所述控制部切断所述第1半导体开关；在经过所述切断判定时间前所述第1半导体输入电流的电流值变为所述异常电流值以下的情况下，所述控制部不切断所述第1半导体开关。

2.如权利要求1所述的半导体开关控制装置，

所述第1半导体开关能够根据施加的栅极电压来调整从所述电源流向所述负载部的电流，

施加有对通过电流不加以限制的栅极电压。

3.如权利要求1或2所述的半导体开关控制装置，

所述控制部在所述第1半导体输入电流的电流值为所述异常电流值以下的情况下，将与施加在所述第1半导体开关的栅极电压同等的栅极电压施加在所述第2半导体开关，

在所述第1半导体输入电流的电流值比所述异常电流值大的情况下，将所述限制栅极电压施加在所述第2半导体开关。