[发明专利]比较器、电路装置、物理量传感器、电子设备以及移动体有效
申请号: | 201710570158.6 | 申请日: | 2017-07-13 |
公开(公告)号: | CN107658292B | 公开(公告)日: | 2023-08-08 |
发明(设计)人: | 羽田秀生 | 申请(专利权)人: | 精工爱普生株式会社 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H03M1/38 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 李辉;邓毅 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 比较 电路 装置 物理量 传感器 电子设备 以及 移动 | ||
本发明提供比较器、电路装置、物理量传感器、电子设备以及移动体。能够确保延迟时间,并且减少布局面积。比较器(50)包括第1电压时间转换电路(10)、第2电压时间转换电路(20)以及判定电路(30)。第1延迟单元(UA1)具有:第1第一导电类型晶体管,其电流根据第1输入信号(PIN)而受到控制;第1第二导电类型晶体管,其电流根据第2输入信号(NIN)而受到控制;以及设置在它们中间的第1延迟缓冲器。第2延迟单元(UB1)具有:第2第一导电类型晶体管,其电流根据第2输入信号(NIN)而受到控制;第2第二导电类型晶体管,其电流根据第1输入信号(PIN)而受到控制;以及设置在它们中间的第2延迟缓冲器。
技术领域
本发明涉及比较器、电路装置、物理量传感器、电子设备以及移动体等。
背景技术
如下这样的时域(Time-Domain)型比较器已被众所周知,该比较器将输入电压电平转换为时间(例如,信号沿的延迟时间、脉冲信号的脉宽、时钟信号的周期等),对该时间进行比较,由此,进行输入电压电平的比较。
例如,在专利文献1中公开了时域型比较器以及使用该时域型比较器的逐次比较型A/D转换器。专利文献1的时域型比较器包括输入第1、第2输入电压以及时钟信号的第1、第2电压时间转换电路,通过对第1、第2电压时间转换电路中的时钟信号的延迟时间(第1、第2延迟时间)进行比较来比较第1、第2输入电压。第1电压时间转换电路包括多个延迟级,各延迟级包括双级的反相器。在第1级的反相器与“地”之间设置有N型晶体管,在第2级的反相器与电源之间设置有P型晶体管。并且,N型晶体管输入第1输入电压,P型晶体管输入第2输入电压。第2电压时间转换电路是相同的结构,但是,N型晶体管输入第2输入电压,P型晶体管输入第1输入电压。通过这样的结构,根据第1、第2输入电压的大小确定第1、第2延迟时间的大小,能够进行电压比较。
专利文献1:美国专利第8373444号说明书
在上述这样的时域型比较器中,延迟时间(将电压转换成时间的增益)是根据延迟级的级数确定的,存在需要与该延迟级的级数对应的布局面积的课题。例如,为了增加延迟时间,需要增加延迟级的级数,从而布局面积增大。
例如,在上述的专利文献1中,由于构成为仅使时钟信号的一个沿延迟,因此,为了增加延迟时间,必须增加级数。即,在多个延迟级内输入一个沿(上升沿)、并使该沿延迟的情况下,下一个输入沿必然成为另一个沿(下降沿)。因此,即使要将多个延迟级的输出反馈到输入侧而重复延迟,也无法使第二次循环的下降沿延迟。即,由于不能将多个延迟级的输出反馈到输入侧而重复延迟,因此,为了增加延迟时间,需要增加级数。
发明内容
根据本发明的几种方式,能够提供确保延迟时间并且能够减少布局面积的比较器、电路装置、物理量传感器、电子设备以及移动体等。
本发明是为了解决上述课题的至少一部分而完成的,并且能够作为以下的形态或方式实现。
本发明的一个方式涉及比较器,该比较器包括:第1电压时间转换电路,其具有第1延迟电路,输入第1输入信号和第2输入信号;第2电压时间转换电路,其具有第2延迟电路,输入所述第1输入信号和所述第2输入信号;以及判定电路,其根据所述第1电压时间转换电路的输出信号和所述第2电压时间转换电路的输出信号,判定所述第1输入信号和所述第2输入信号的大小,所述第1延迟电路具有的第1延迟单元具有:第1第一导电类型晶体管,其电流根据所述第1输入信号而受到控制;第1第二导电类型晶体管,其电流根据所述第2输入信号而受到控制;以及第1延迟缓冲器,其设置在所述第1第一导电类型晶体管与所述第1第二导电类型晶体管之间,使所述第1延迟单元的输入信号延迟后输出,所述第2延迟电路具有的第2延迟单元具有:第2第一导电类型晶体管,其电流根据所述第2输入信号而受到控制;第2第二导电类型晶体管,其电流根据所述第1输入信号而受到控制;以及第2延迟缓冲器,其设置在所述第2第一导电类型晶体管与所述第2第二导电类型晶体管之间,使所述第2延迟单元的输入信号延迟后输出。
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H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的