[发明专利]比较器、电路装置、物理量传感器、电子设备以及移动体有效
申请号: | 201710570158.6 | 申请日: | 2017-07-13 |
公开(公告)号: | CN107658292B | 公开(公告)日: | 2023-08-08 |
发明(设计)人: | 羽田秀生 | 申请(专利权)人: | 精工爱普生株式会社 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H03M1/38 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 李辉;邓毅 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 比较 电路 装置 物理量 传感器 电子设备 以及 移动 | ||
1.一种比较器,其特征在于,该比较器包括:
第1电压时间转换电路,其具有第1延迟电路,输入第1输入信号和第2输入信号;
第2电压时间转换电路,其具有第2延迟电路,输入所述第1输入信号和所述第2输入信号;以及
判定电路,其根据所述第1电压时间转换电路的输出信号和所述第2电压时间转换电路的输出信号,判定所述第1输入信号和所述第2输入信号的大小,
所述第1延迟电路具有的第1延迟单元具有:
第1第一导电类型晶体管,其电流根据所述第1输入信号而受到控制;
第1第二导电类型晶体管,其电流根据所述第2输入信号而受到控制;以及
第1延迟缓冲器,其设置在所述第1第一导电类型晶体管与所述第1第二导电类型晶体管之间,使所述第1延迟单元的输入信号延迟后输出,
所述第2延迟电路具有的第2延迟单元具有:
第2第一导电类型晶体管,其电流根据所述第2输入信号而受到控制;
第2第二导电类型晶体管,其电流根据所述第1输入信号而受到控制;以及
第2延迟缓冲器,其设置在所述第2第一导电类型晶体管与所述第2第二导电类型晶体管之间,使所述第2延迟单元的输入信号延迟后输出,
所述第1电压时间转换电路还包括:
第1输入信号生成电路,其生成所述第1延迟电路的输入信号;以及
第1锁存电路,其时钟端子被输入所述第1延迟电路的输出信号,数据端子被输入第1逻辑电平,根据所述第1延迟电路的输出信号取入所述第1逻辑电平,
所述第2电压时间转换电路还包括:
第2输入信号生成电路,其生成所述第2延迟电路的输入信号;以及
第2锁存电路,其时钟端子被输入所述第2延迟电路的输出信号,数据端子被输入所述第1逻辑电平,根据所述第2延迟电路的输出信号取入所述第1逻辑电平,
所述判定电路对所述第1锁存电路的输出信号从第2逻辑电平变成所述第1逻辑电平的时刻、与所述第2锁存电路的输出信号从所述第2逻辑电平变成所述第1逻辑电平的时刻进行比较,由此判定所述第1输入信号和所述第2输入信号的大小。
2.根据权利要求1所述的比较器,其特征在于,
所述第1输入信号生成电路使所述第1延迟电路的输入信号从所述第1逻辑电平变成所述第2逻辑电平,
在所述第1延迟电路的输出信号从所述第1逻辑电平变成所述第2逻辑电平的情况下,所述第1输入信号生成电路使所述第1延迟电路的输入信号从所述第2逻辑电平变成所述第1逻辑电平,
在所述第1延迟电路的输出信号从所述第2逻辑电平变成所述第1逻辑电平的情况下,所述第1锁存电路取入所述第1逻辑电平,所述第1锁存电路的输出信号从所述第2逻辑电平变成所述第1逻辑电平,
所述第2输入信号生成电路使所述第2延迟电路的输入信号从所述第1逻辑电平变成所述第2逻辑电平,
在所述第2延迟电路的输出信号从所述第1逻辑电平变成所述第2逻辑电平的情况下,所述第2输入信号生成电路使所述第2延迟电路的输入信号从所述第2逻辑电平变成所述第1逻辑电平,
在所述第2延迟电路的输出信号从所述第2逻辑电平变成所述第1逻辑电平的情况下,所述第2锁存电路取入所述第1逻辑电平,所述第2锁存电路的输出信号从所述第2逻辑电平变成所述第1逻辑电平。
3.根据权利要求1所述的比较器,其特征在于,
所述第1延迟电路和所述第2延迟电路中的各延迟电路具有串联连接的多个延迟单元。
4.根据权利要求3所述的比较器,其特征在于,
在所述第1延迟电路中,所述多个延迟单元中的至少2个延迟单元共用所述第1第一导电类型晶体管和所述第1第二导电类型晶体管,
在所述第2延迟电路中,所述多个延迟单元中的至少2个延迟单元共用所述第2第一导电类型晶体管和所述第2第二导电类型晶体管。
5.根据权利要求1~3中的任意一项所述的比较器,其特征在于,
在所述判定电路的判定结果得以确定的情况下,在所述第1延迟缓冲器和所述第2延迟缓冲器中,被提供的电源电压被设定为规定的电压。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的