[发明专利]柔性显示面板及其制作方法、柔性显示装置有效
申请号: | 201710565015.6 | 申请日: | 2017-07-12 |
公开(公告)号: | CN107195643B | 公开(公告)日: | 2020-11-03 |
发明(设计)人: | 安菲菲;吴勇 | 申请(专利权)人: | 武汉天马微电子有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L27/32;H01L51/00;H01L21/683;B23K26/36 |
代理公司: | 北京晟睿智杰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11603 | 代理人: | 于淼 |
地址: | 430074 湖北省武*** | 国省代码: | 湖北;42 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 柔性 显示 面板 及其 制作方法 显示装置 | ||
本申请公开了柔性显示面板及其制作方法、柔性显示装置。柔性显示面板的一具体实施方式包括依次层叠设置的:第一柔性衬底、第一阻挡层、第二柔性衬底、第二阻挡层、以及多晶硅薄膜晶体管器件层;其中,多晶硅薄膜晶体管器件层包括有源层,有源层由非晶硅材料经过准分子激光退火工艺后形成,柔性显示面板由激光剥离工艺将第一柔性衬底从刚性基板上剥离后形成;激光剥离工艺所采用的激光峰值波长为λ1,准分子激光退火工艺的激光峰值波长为λ2;第一柔性衬底对于波长为λ1的激光的透过率不超过0.5%;第二柔性衬底对于波长为λ2的激光的透过率不小于0.5%。该实施方式能够提升柔性显示面板的制作良率。
技术领域
本申请涉及显示技术领域,具体柔性显示技术领域,尤其涉及柔性显示面板及其制作方法、柔性显示装置。
背景技术
柔性显示屏,是由柔软的材料制成,可变形可弯曲的显示装置,具有体积小、便携、低功耗等优势,被越来越广泛地应用在各个领域中。
柔性显示屏通常包括柔性衬底和制作于柔性衬底上的显示器件,在制作过程中,通常利用刚性基板为柔性衬底提供支撑,之后在柔性衬底上制作包含多晶硅薄膜晶体管的显示器件,薄膜晶体管的制作过程中需要利用ELA(Excimer Laser Annealing,准分子激光退火)工序使非晶硅层的硅晶化,形成多晶硅材料的有源层。
目前柔性显示屏选用的柔性衬底材料,对ELA工序的工作波长的激光的透过率近似为0,但在进行ELA工序时,非晶硅层可能由于工艺中的微尘、杂质等原因覆盖有缺失,ELA的高激光能量可能会穿透非晶硅层以及非晶硅层与柔性衬底之间的阻挡层后作用于柔性衬底,柔性衬底会被激光损伤,导致柔性显示屏制作不良。
发明内容
为了解决上述背景技术部分的一个或多个技术问题,本申请实施例提供了柔性显示面板及其制作方法、柔性显示装置。
一方面,本申请实施例提供了一种柔性显示面板,包括依次层叠设置的:第一柔性衬底、第一阻挡层、第二柔性衬底、第二阻挡层、以及多晶硅薄膜晶体管器件层;其中,多晶硅薄膜晶体管器件层包括有源层,有源层由非晶硅材料经过准分子激光退火工艺后形成,柔性显示面板由激光剥离工艺将第一柔性衬底从刚性基板上剥离后形成;激光剥离工艺所采用的激光峰值波长为λ1,准分子激光退火工艺的激光峰值波长为λ2;第一柔性衬底对于波长为λ1的激光的透过率不超过0.5%;第二柔性衬底对于波长为λ2的激光的透过率不小于0.5%。
第二方面,本申请实施例提供了一种柔性显示面板的制作方法,包括:提供刚性基板;在刚性基板上依次形成第一柔性衬底、第一阻挡层、第二柔性衬底以及第二阻挡层;在第二阻挡层上形成非晶硅层;采用准分子激光退火工艺使非晶硅层的硅晶化,形成多晶硅层;对多晶硅层进行图形化,形成薄膜晶体管器件层的有源层;在有源层上依次形成薄膜晶体管器件的源漏极、有机发光器件以及封装层;利用激光剥离工艺将刚性基板与第一柔性衬底剥离;其中,激光剥离工艺采用峰值波长为λ1的激光,准分子激光退火工艺采用峰值波长为λ2的激光;第一柔性衬底对于波长为λ1的激光的透过率不超过0.5%;第二柔性衬底对于波长为λ2的激光的透过率不小于0.5%。
第三方面,本申请实施例提供了一种柔性显示装置,包括上述柔性显示面板。
本申请实施例提供的柔性显示面板及其制作方法、柔性显示装置,通过选用对激光剥离工艺所采用的激光峰值波长λ1的透过率不超过0.5%的第一柔性衬底,可以使激光能量在第一柔性衬底与刚性基底之间聚积,从而将柔性衬底与刚性基底完全分离;选用对准分子激光退火工艺所采用的激光峰值波长λ2的透过率不小于0.5%的第二柔性衬底,可以使准分子激光退火工艺中穿过非晶硅层的激光不会在第二柔性衬底处聚积,降低对第二柔性衬底的损伤率,从而提升柔性显示面板的制作良率。
附图说明
通过阅读参照以下附图所作的对非限制性实施例详细描述,本申请的其它特征、目的和优点将会变得更明显:
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉天马微电子有限公司,未经武汉天马微电子有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710565015.6/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的