[发明专利]存储单元及存储阵列

说明书

存储单元包括读取选择晶体管、写入选择晶体管及反熔丝电容。读取选择晶体管具有第一端、第二端及控制端，读取选择晶体管的第一端耦接于位线，及读取选择晶体管的控制端耦接于读取字符线。写入选择晶体管具有第一端、第二端及控制端，写入选择晶体管的第一端耦接于读取选择晶体管的第二端，写入选择晶体管的第二端耦接于高压控制线，及写入选择晶体管的控制端耦接于写入字符线。反熔丝电容具有第一端及第二端，反熔丝电容的第一端耦接于读取选择晶体管的所述第二端，及反熔丝电容的第二端耦接于低压控制线。

技术领域

本发明是有关于一种存储单元，特别是有关于一种具有读取选择晶体管及写入选择晶体管的存储单元。

背景技术

非易失性存储器(non-volatile memory，NVM)是一种在没有电力供应至存储区块的情况下，仍然能够维持原本储存之数据的存储器，也因其特性，而被广泛地应用在各种领域。可编程只读存储器(Programmable Read-Only Memory，PROM)是其中一种常见的非易失性存储器。先前技术的可编程只读存储器内部具有行列式的镕丝，并可依照使用上的需求，导通电流将熔丝烧断，以写入所需的数据。熔丝一旦烧断，就无法再恢复，因此可编程只读存储器在第一次被写入后就无法再重复写入其他数据，而只能提供其他电路读取数据。

现有技术的可编程只读存储器常利用反熔丝电容来取代熔丝。利用高电压将反熔丝电容击穿来改变其电阻值，即可将所需的数据写入。利用反熔丝电容来实际操作，能够提高芯片探针(Chip Probe，CP)及最终测试(Final Test，FT)的效率，进而提升可编程只读存储器的良率。此外，为了有效控制可编程只读存储器中的每一个存储单元，使得可编程只读存储器能够根据需求对特定的存储单元进行写入操作或读取操作，因此在存储单元的布局以及操作弹性的方面，仍面临挑战。

发明内容

本发明的一实施例提供一种存储单元，存储单元包括读取选择晶体管、写入选择晶体管及反熔丝电容。

读取选择晶体管具有第一端、第二端及控制端，读取选择晶体管的第一端耦接于位线，而读取选择晶体管的控制端耦接于读取字符线。写入选择晶体管具有第一端、第二端及控制端，写入选择晶体管的第一端耦接于读取选择晶体管的第二端，写入选择晶体管的第二端耦接于高压控制线，而写入选择晶体管的控制端耦接于写入字符线。反熔丝电容具有第一端及第二端，反熔丝电容的第一端耦接于读取选择晶体管的第二端，而反熔丝电容的第二端耦接于低压控制线。

本发明的另一实施例提供一种存储阵列，存储阵列包括多条位线、多条读取字符线、多条写入字符线、多条高压控制线、多条低压控制线及多行存储单元。

每一存储单元包括读取选择晶体管、写入选择晶体管及反熔丝电容。读取选择晶体管具有第一端、第二端及控制端，读取选择晶体管的第一端耦接于对应的位线，而读取选择晶体管的控制端耦接于对应的读取字符线。写入选择晶体管具有第一端、第二端及控制端，写入选择晶体管的第一端耦接于读取选择晶体管的第二端，写入选择晶体管的第二端耦接于对应的高压控制线，而写入选择晶体管的控制端耦接于对应的写入字符线。反熔丝电容具有第一端及第二端，反熔丝电容的第一端耦接于读取选择晶体管的第二端，而反熔丝电容的第二端耦接于对应的低压控制线。

附图说明

图1为本发明一实施例的存储单元的示意图；

图2为图1的存储单元在写入操作期间所接收到的信号电压示意图；

图3为图1的存储单元在读取操作期间所接收到的信号电压示意图；

图4为本发明一实施例的存储阵列的示意图；

图5为图4的存储阵列中，存储单元的写入操作期间的信号电压示意图；

图6为图4的存储阵列中，存储单元的读取操作期间的信号电压示意图。【主要组件符号说明】