[发明专利]存储单元及存储阵列

权利要求书

1.一种存储单元，其特征在于包括：

读取选择晶体管，具有第一端耦接于位线，第二端，及控制端耦接于读取字符线；

写入选择晶体管，具有第一端耦接于所述读取选择晶体管的所述第二端，第二端耦接于高压控制线，及控制端耦接于写入字符线；以及

反熔丝电容，具有第一端耦接于所述读取选择晶体管的所述第二端，及第二端耦接于低压控制线。

2.如权利要求1所述的存储单元，其特征在于：

所述读取选择晶体管为N型晶体管，及所述写入选择晶体管为P型晶体管。

3.如权利要求2所述的存储单元，其特征在于：

所述反熔丝电容的所述第一端为栅极结构，及所述反熔丝电容的所述第二端为N型参杂区。

4.如权利要求3所述的存储单元，其特征在于，在所述存储单元的写入操作期间：

所述位线处在第一电压；

所述读取字符线处在所述第一电压；

所述写入字符线处在所述第一电压；

所述高压控制线处在第二电压；以及

所述低压控制线处在第三电压；

其中所述第二电压大于所述第一电压，且所述第一电压大于所述第三电压。

5.如权利要求3所述的存储单元，其特征在于，在所述存储单元的读取操作期间：

所述读取字符线处在第四电压；

所述写入字符线处在所述第四电压；

所述高压控制线处在第一电压；以及

所述低压控制线处在所述第四电压；

其中所述第四电压大于所述第一电压。

6.一种存储阵列，其特征在于包括：

多条位线；

多条读取字符线；

多条写入字符线；

多条高压控制线；

多条低压控制线；以及

多行存储单元，每一存储单元包括：

读取选择晶体管，具有第一端耦接于对应的位线，第二端，及控制端耦接于对应的读取字符线；

写入选择晶体管，具有第一端耦接于所述读取选择晶体管的所述第二端，第二端耦接于对应的高压控制线，及控制端耦接于对应的写入字符线；以及

反熔丝电容，具有第一端耦接于所述读取选择晶体管的所述第二端，及第二端耦接于对应的低压控制线。

7.如权利要求6所述的存储阵列，其特征在于：

所述读取选择晶体管为N型晶体管，及所述写入选择晶体管为P型晶体管。

8.如权利要求7所述的存储阵列，其特征在于：

所述反熔丝电容的所述第一端为栅极结构，及所述反熔丝电容的所述第二端为N型参杂区。

9.如权利要求6所述的存储阵列，其特征在于：

位于同一行的多个存储单元耦接于相同的读取字符线、相同的低压控制线及相同的高压控制线，并耦接于相异的多条写入字符线及相异的多条位线。

10.如权利要求9所述的存储阵列，其特征在于：

所述多行存储单元包含第一存储单元及第二存储单元，所述第一存储单元及所述第二存储单元位于相邻两行并位于同一列；

所述第一存储单元的写入选择晶体管与所述第二存储单元的写入选择晶体管耦接于相同的高压控制线、相同的位线及相同的写入字符线；以及

所述第一存储单元的所述写入选择晶体管的第二端耦接于所述第二存储单元的所述写入选择晶体管的第二端。

11.如权利要求10所述的存储阵列，其特征在于：

所述多行存储单元还包含第三存储单元，所述第三存储单元及所述第二存储单元位于相邻两行并位于同一列，且所述第三存储单元及所述第一存储单元位于相异行；

所述第三存储单元的读取选择晶体管与所述第二存储单元的读取选择晶体管耦接于相同的位线及相同的写入字符线；以及

所述第三存储单元的所述读取选择晶体管的第一端耦接于所述第二存储单元的所述读取选择晶体管的第一端。