[发明专利]薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板和显示面板

说明书

本发明公开了一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板和显示面板，涉及显示技术领域。制备方法包括：在基底上依次形成有源层、栅绝缘层和栅电极，其中，有源层包括沟道区域和导体化区域，栅电极在基底上的正投影包含沟道区域在基底上的正投影。薄膜晶体管包括：依次设置在基底上的有源层、栅绝缘层和栅电极，有源层包括沟道区域和与沟道区域两侧相接的导体化区域，栅电极在基底上的正投影包含沟道区域在基底上的正投影。阵列基板包含该薄膜晶体管，显示面板包含该阵列基板。该制备方法降低了顶栅型薄膜晶体管的开态电阻，使得开态电流增加，降低了显示器件的功耗，提高了显示面板的显示质量。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，具体涉及一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板和显示面板。

背景技术

薄膜晶体管是显示技术领域非常重要的元件，现有技术中，薄膜晶体管主要有两大类，即底栅型薄膜晶体管和顶栅型薄膜晶体管。顶栅型薄膜晶体管中栅电极与源电极/漏电极无重叠，因此寄生电容非常低，同时顶栅型薄膜晶体管的制作工艺简单、沟道的宽长比W/L比较大，且布局灵活，所以其在高分辨率、高刷新率、窄边框、低功耗的产品中得到了广泛的应用。

顶栅型薄膜晶体管的低功耗，主要受其开态电流的影响，而开态电流主要决定于源电极和漏电极之间的开态电阻。本申请的发明人发现，现有技术中的顶栅型薄膜晶体管的开态电阻较大，使得开态电流较小，从而增加了显示器件的功耗，降低了显示面板的显示质量。

发明内容

本发明实施例所要解决的技术问题是，提供一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板和显示面板，以解决现有顶栅型薄膜晶体管的开态电阻较大导致显示器件功耗大的问题。

为了解决上述技术问题，本发明实施例提供了一种薄膜晶体管的制备方法，包括：

在基底上依次形成有源层、栅绝缘层和栅电极，其中，所述有源层包括沟道区域和导体化区域，所述栅电极在基底上的正投影包含所述沟道区域在基底上的正投影。

可选地，所述在基底上依次形成有源层、栅绝缘层和栅电极，包括：

在基底上形成有源层；

在形成有有源层的基底上依次沉积栅绝缘薄膜和栅金属薄膜；

形成栅电极和栅绝缘层，所述栅电极和所述栅绝缘层在基底上的正投影完全重叠；

对有源层进行导体化处理，形成沟道区域和位于所述沟道区域两侧的导体化区域，所述沟道区域在基底上的正投影与所述栅电极和栅绝缘层在基底上的正投影完全重叠。

可选地，所述形成栅电极和栅绝缘层，包括：

在栅金属薄膜上涂覆光刻胶，采用掩膜版对光刻胶进行曝光并显影，在栅电极位置形成未曝光区域，保留光刻胶，在其余位置形成完全曝光区域，光刻胶被去除；

采用湿法刻蚀工艺刻蚀掉完全曝光区域的栅金属薄膜；

对光刻胶进行硬烘烤或灰化处理；

采用干法刻蚀工艺刻蚀掉光刻胶以外的栅绝缘薄膜，使所述栅电极和所述栅绝缘层在基底上的正投影完全重叠。

可选地，所述形成栅电极和栅绝缘层，包括：

在栅金属薄膜上涂覆光刻胶，采用掩膜版对光刻胶进行曝光并显影，在栅电极位置形成未曝光区域，保留光刻胶，在其余位置形成完全曝光区域，光刻胶被去除；

采用干法刻蚀工艺刻蚀掉完全曝光区域的栅金属薄膜和栅绝缘薄膜，使所述栅电极和栅绝缘层在基底上的正投影完全重叠。

可选地，所述在基底上依次形成有源层、栅绝缘层和栅电极，包括：

在基板上沉积有源薄膜；