[发明专利]薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板和显示面板

权利要求书

1.一种薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括：

在基底上形成有源层；

在形成有有源层的基底上依次沉积栅绝缘薄膜和栅金属薄膜；

在栅金属薄膜上涂覆光刻胶，采用掩膜版对光刻胶进行曝光并显影，在栅电极位置形成未曝光区域，保留光刻胶，在其余位置形成完全曝光区域，光刻胶被去除，形成的光刻胶层的宽度为T1；

采用湿法刻蚀工艺刻蚀掉完全曝光区域的栅金属薄膜，形成栅电极，所述栅电极的宽度为T2，T2<T1；

对光刻胶进行硬烘烤或灰化处理，使得所述光刻胶层的宽度减小为CT1，T2<CT1；

采用干法刻蚀工艺刻蚀掉光刻胶以外的栅绝缘薄膜以形成栅绝缘层，使所述光刻胶层、所述栅电极和所述栅绝缘层在基底上的正投影完全重叠。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述制备方法还包括：

对有源层进行导体化处理，形成沟道区域和位于所述沟道区域两侧的导体化区域，所述沟道区域在基底上的正投影与所述栅电极和栅绝缘层在基底上的正投影完全重叠；

剥离所述光刻胶层。

3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述制备方法还包括：

在形成有栅电极的基底上形成源电极和漏电极。

4.一种薄膜晶体管，包括基底，其特征在于，采用权利要求1～3中任意一项方法制备而成，所述薄膜晶体管还包括依次设置在基底上的有源层、栅绝缘层和栅电极，所述有源层包括沟道区域和与所述沟道区域两侧相接的导体化区域，

所述栅电极在基底上的正投影与所述沟道区域在基底上的正投影完全重叠。

5.根据权利要求4所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管还包括：

覆盖所述栅电极、所述栅绝缘层和所述有源层的层间绝缘层，所述层间绝缘层上设置有暴露出导体化区域的第一过孔和第二过孔；

设置在所述层间绝缘层上的源电极和漏电极，所述源电极和所述漏电极分别通过所述第一过孔和所述第二过孔与所述导体化区域连接。

6.一种阵列基板，其特征在于，包括根据权利要求4或5所述的薄膜晶体管。

7.一种显示面板，其特征在于，包括根据权利要求6所述的阵列基板。