[发明专利]提高铟砷/镓锑超晶格红外探测器材料截止波长的方法及铟砷/镓锑Ⅱ类超晶格及其应用有效
| 申请号： | 201710563810.1 | 申请日： | 2017-07-12 |
| 公开（公告）号： | CN107393982B | 公开（公告）日： | 2023-06-27 |
| 发明（设计）人： | 曹耀辉;陈建桥 | 申请（专利权）人： | 秦皇岛博硕光电设备股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0304 | 分类号： | H01L31/0304;H01L31/0352;H01L31/0368;H01L31/111 |
| 代理公司： | 北京一格知识产权代理事务所(普通合伙) 11316 | 代理人： | 赵俊宏 |
| 地址： | 066000 河北省秦*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 提高 镓锑超 晶格 红外探测器 材料 截止 波长 方法 镓锑 及其 应用 | ||
1.一种提高铟砷/镓锑超晶格红外探测器材料截止波长的方法，其特征在于，通过增加所述铟砷/镓锑Ⅱ类超晶格单胞中InSb层的应力，改变超晶格材料的能带结构，增加所述铟砷/镓锑Ⅱ类超晶格红外探测器材料截止波长，InAs和GaSb的单位晶胞内部界面层是InSb层，在InSb界面层加入InSb层，来增加所述铟砷/镓锑Ⅱ类超晶格中晶格的应力，通过在铟砷/镓锑Ⅱ类超晶格中在晶胞与晶胞的界面加入GaAs层给单位晶胞加入反向应力，补偿由InSb层加入引起的单位晶胞的应力，且使得材料的结构是不对称的，使单位晶胞的静应力为0。
2.铟砷/镓锑Ⅱ类超晶格，其特征在于，所述的铟砷/镓锑Ⅱ类超晶格中单位晶胞内部InAs和GaSb的界面层是InSb层，在单位晶胞InAs和GaSb形成的界面层InSb层处增加InSb层的厚度，形成了单独的InSb层，单位晶胞结构为：InAs层、InSb层、GaSb层和GaAs层，InSb层在InAs层和GaSb层间，GaAs层在GaSb层外，GaAs层位于两个相邻晶胞的界面处，位于单位晶胞GaSb层外插入的所述的InSb层的厚度为InAs和GaSb形成的InSb界面层的1-3倍。
3.如权利要求2所述铟砷/镓锑Ⅱ类超晶格，其特征在于，用于红外探测器超长波的探测。
4.如权利要求2所述铟砷/镓锑Ⅱ类超晶格，其特征在于，用于探测10微米以上的远红外光。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
