[发明专利]一种充电装置及边充边放电源路径管理方法在审

申请号：	201710557341.2	申请日：	2017-07-10
公开（公告）号：	CN109245188A	公开（公告）日：	2019-01-18
发明（设计）人：	邹伟华;罗华兰;黄诗剑	申请（专利权）人：	深圳市爱克斯达电子有限公司
主分类号：	H02J7/00	分类号：	H02J7/00
代理公司：	深圳鼎合诚知识产权代理有限公司 44281	代理人：	彭家恩;彭愿洁
地址：	518000 广东省深圳市龙岗区***	国省代码：	广东;44
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摘要：
搜索关键词：	充电单元供电单元充电装置路径管理放电源总电流外部设备充电电流单元连接电池充电输出电流演算供电检测申请
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【权利要求书】：

1.一种充电装置，其特征在于，

包括控制单元、调节单元、充电单元和供电单元；

所述控制单元连接至所述调节单元、所述充电单元和所述供电单元，所述调节单元连接至所述充电单元；

所述充电单元用于为电池充电；

所述供电单元用于为外部设备供电；

所述调节单元包括第二MOS晶体管和第三MOS晶体管；

所述控制单元用于检测所述充电单元中电池的充电电流与所述供电单元的输出电流，根据检测到的所述充电电流的值与输出电流的值调节所述调节单元中第二MOS晶体管和第三MOS晶体管的PWM占空比，以维持充电装置的输入总电流稳定的情况下调节所述充电电流。

2.如权利要求1所述的充电装置，其特征在于，

还包括输入单元，所述输入单元连接至所述控制单元、所述调节单元和供电单元，用于为所述充电装置提供输入电流；

所述输入单元包括第一电阻(R1)、第五电阻(R5)、第十八电阻(R18)和第一PMOS晶体管(Q1)；

所述第一电阻的第一极和所述第一PMOS晶体管的漏极连接至外部电源Vin；

所述第一PMOS晶体管的源极连接至所述调节单元，其栅极连接至所述控制单元；

所述第一电阻的第二极和所述第五电阻的第一极连接至所述控制单元；

所述第五电阻的第二极接地；

所述第十八电阻的第一极连接至所述第一PMOS晶体管的源极，其第二极连接至所述第一PMOS晶体管的栅极。

3.如权利要求1或2所述的充电装置，其特征在于，

所述调节单元包括第一电容(C1)、第二PMOS晶体管(Q2)、第三NMOS晶体管(Q3)、第一电感(L1)和第二电容(C2)；

所述第一电容的第一极和所述第二PMOS晶体管的源极连接至所述输入单元，还连接至所述供电单元；

所述第一电容的第二极接地；

所述第二PMOS晶体管的漏极和所述第三NMOS晶体管的漏极连接至所述第一电感的第一极；

所述第二PMOS晶体管的栅极和所述第三NMOS晶体管的栅极连接至所述控制单元；

所述第三NMOS晶体管的源极接地；

所述第一电感的第二极和所述第二电容的第一极连接至所述充电单元；

所述第二电容的第二极接地。

4.如权利要求1或2所述的充电装置，其特征在于，

所述控制单元包括控制器(011)、第六电阻(R6)、第四NPN型三极管(Q4)、第八PNP型三极管(Q8)、第九NPN型三极管(Q9)、第九电阻(R9)、第十四电阻(R14)、第十二电阻(R12)、第十NPN型三极管(Q10)、第十一PNP型三极管(Q11)、第十二NPN型三极管(Q12)、第十六电阻(R16)、第十七电阻(R17)；

所述第六电阻的第一极和所述第四NPN型三极管的集电极连接至所述第二PMOS晶体管的源极；

所述第四NPN型三极管的发射极和所述第八PNP型三极管的发射极连接至所述第二PMOS晶体管的栅极；

所述第四NPN型三极管的基极和所述第八PNP型三极管的基极连接至所述第六电阻的第二极和所述第九NPN型三极管的集电极；

所述第九NPN型三极管的基极连接至所述第九电阻的第二极和所述第十四电阻的第一极；

所述第八PNP型三极管的集电极、所述第九NPN型三极管的发射极和所述第十四电阻的第二极接地；

所述第九电阻的第一极连接至所述控制器的PWM1口；

所述第十二电阻的第一极和所述第十NPN型三极管的集电极连接至工作电压端VCC；

所述第十NPN型三极管的发射极和所述第十一PNP型三极管的发射极连接至所述第三NMOS晶体管的栅极；

所述第十NPN型三极管的基极和所述第十一PNP型三极管的基极连接至所述第十二电阻的第二极和所述第十二NPN型三极管的集电极；

所述第十二NPN型三极管的基极连接至所述第十六电阻的第二极和所述第十七电阻的第一极；

所述第十一PNP型三极管的集电极、所述第十二NPN型三极管的发射极和所述第十七电阻的第二极接地；

所述第十六电阻的第一极连接至所述控制器的PWM2口。