[发明专利]指纹识别芯片与驱动芯片的封装方法及结构在审
申请号: | 201710551619.5 | 申请日: | 2017-07-07 |
公开(公告)号: | CN107342234A | 公开(公告)日: | 2017-11-10 |
发明(设计)人: | 王之奇;谢国梁;胡汉青 | 申请(专利权)人: | 苏州晶方半导体科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/50 | 分类号: | H01L21/50;H01L25/065 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人: | 党丽,王宝筠 |
地址: | 215021 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 指纹识别 芯片 驱动 封装 方法 结构 | ||
技术领域
本发明涉及半导体技术领域,尤其涉及一种指纹识别芯片与驱动芯片的封装方法及结构。
背景技术
随着科学技术的不断发展,个人身份是被以及个人信息安全逐步受到人们的关注。由于人体指纹具有唯一性和不变形,使得指纹识别技术具有安全性好、可靠性高且使用简单方便的特点,使得指纹识别技术被广泛应用于个人信息保护及验证的各个领域。
指纹识别器件的感测方式主要包括电容式和电感式,通过多个电容或电感的感应电极进行指纹感测。由于用户手指的表皮或皮下层具有凸起的脊和凹陷的谷,在当用户的手指触摸到感测电极的表面时,脊与谷到指感测电极表面的距离不同,手指不同区域与感应电极之间的电容值或电感值产生不同的变化,通过驱动电路对各感应电极施加驱动信号后,将这种变化转化为相应的电信号输出,通过这些电信号来获取用户的指纹信息。
目前指纹识别器件的一种实现方法是,将感应电极制作在指纹识别芯片上,将驱动电路制作在驱动芯片上,而后将指纹识别芯片与驱动芯片封装在一起。随着对器件尺寸要求的不断提高,需要提供一种封装尺寸小、集成度高的指纹识别芯片与驱动芯片的封装方法及结构。
发明内容
有鉴于此,本发明的第一方面提供了一种指纹识别芯片与驱动芯片的封装方法,缩小封装结构尺寸,提高封装结构的集成度。
为解决上述问题,本发明实施例提供了一种指纹识别芯片与驱动芯片的封装方法,包括:
提供晶圆以及驱动芯片,所述晶圆具有第一表面和与其相对的第二表面,所述晶圆的第一表面上形成有指纹识别芯片;所述驱动芯片具有第一表面和与其相对的第二表面,所述驱动芯片的第一表面具有驱动电路和第二焊垫;
在所述晶圆的第二表面上形成盲孔;
在所述盲孔中固定驱动芯片,所述驱动芯片的第一表面与所述晶圆的第二表面齐平;
进行所述晶圆的切割。
可选的,所述指纹识别芯片包括感应区和感应区周围的第一焊垫,所述盲孔对应于所述指纹识别芯片的感应区的区域。
可选的,在所述盲孔中固定驱动芯片之后,进行所述晶圆的切割之前,还包括:
从所述指纹识别芯片的第二表面形成贯通至第一焊垫的通孔;
通过所述通孔在所述指纹识别芯片的第二表面上形成与第一焊垫电连接的再布线层;
形成与再布线层电连接的焊接凸起,以及与第二焊垫电连接的焊接凸起。
可选的,通过所述通孔在所述指纹识别芯片的第二表面上形成与第一焊垫电连接的再布线层,包括:
形成绝缘层,所述绝缘层覆盖所述通孔的侧壁以及所述指纹识别芯片的第二表面、所述驱动芯片的第一表面,且所述绝缘层上具有第一开口,所述第一开口暴露第二焊垫;
在所述通孔中形成与第一焊垫电连接的再布线层,以及在所述第一开口中形成与第二焊垫电连接的电连线层,所述再布线层覆盖通孔内壁且延伸至所述晶圆的第二表面。
可选的,通过所述通孔在所述指纹识别芯片的第二表面上形成与第一焊垫电连接的再布线层,包括:
形成绝缘层,所述绝缘层覆盖所述通孔的侧壁以及所述指纹识别芯片的第二表面、所述驱动芯片的第一表面;
填充所述通孔,以在所述第一焊垫上形成与第一焊垫电连接的金属插塞;
在所述金属插塞上形成与金属插塞电连接的再布线层,以及在所述第二焊垫上形成与第二焊垫电连接的电连线层。
可选的,所述通孔为阶梯孔,从所述指纹识别芯片的第二表面形成贯通至第一焊垫的通孔,包括:
从指纹识别芯片的第二表面形成沟槽,所述沟槽位于第一焊垫上方;
在所述沟槽中形成贯通至第一焊垫的过孔,以形成阶梯孔,每一过孔对应一个第一焊垫;
通过所述通孔在所述指纹识别芯片的第二表面上形成与第一焊垫电连接的再布线层,包括:
形成绝缘层,所述绝缘层覆盖所述阶梯孔的侧壁以及所述指纹识别芯片的第二表面、所述驱动芯片的第一表面,且所述绝缘层上具有第一开口,所述第一开口暴露第二焊垫;
在阶梯孔中形成与第一焊垫电连接的再布线层,以及在所述第一开口上形成与第二焊垫电连接的电连线层,所述再布线层覆盖所述阶梯孔内壁且延伸至所述晶圆的第二表面。
可选的,形成与再布线层电连接的焊接凸起,以及与第二焊垫电连接的焊接凸起,包括:
形成覆盖所述晶圆的第二表面的阻焊层,所述阻焊层上形成有第二开口,所述第二开口暴露再布线层以及电连线层;在所述第二开口中形成焊接凸起。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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