[发明专利]指纹识别芯片与驱动芯片的封装方法及结构在审
申请号: | 201710551619.5 | 申请日: | 2017-07-07 |
公开(公告)号: | CN107342234A | 公开(公告)日: | 2017-11-10 |
发明(设计)人: | 王之奇;谢国梁;胡汉青 | 申请(专利权)人: | 苏州晶方半导体科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/50 | 分类号: | H01L21/50;H01L25/065 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人: | 党丽,王宝筠 |
地址: | 215021 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 指纹识别 芯片 驱动 封装 方法 结构 | ||
1.一种指纹识别芯片与驱动芯片的封装方法,其特征在于,包括:
提供晶圆以及驱动芯片,所述晶圆具有第一表面和与其相对的第二表面,所述晶圆的第一表面上形成有指纹识别芯片;所述驱动芯片具有第一表面和与其相对的第二表面,所述驱动芯片的第一表面具有驱动电路和第二焊垫;
在所述晶圆的第二表面上形成盲孔;
在所述盲孔中固定驱动芯片,所述驱动芯片的第一表面与所述晶圆的第二表面齐平;
进行所述晶圆的切割。
2.根据权利要求1所述的封装方法,其特征在于,所述指纹识别芯片包括感应区和感应区周围的第一焊垫,所述盲孔对应于所述指纹识别芯片的感应区的区域。
3.根据权利要求1所述的封装方法,其特征在于,在所述盲孔中固定驱动芯片之后,进行所述晶圆的切割之前,还包括:
从所述指纹识别芯片的第二表面形成贯通至第一焊垫的通孔;
通过所述通孔在所述指纹识别芯片的第二表面上形成与第一焊垫电连接的再布线层;
形成与再布线层电连接的焊接凸起,以及与第二焊垫电连接的焊接凸起。
4.根据权利要求3所述的封装方法,其特征在于,通过所述通孔在所述指纹识别芯片的第二表面上形成与第一焊垫电连接的再布线层,包括:
形成绝缘层,所述绝缘层覆盖所述通孔的侧壁以及所述指纹识别芯片的第二表面、所述驱动芯片的第一表面,且所述绝缘层上具有第一开口,所述第一开口暴露第二焊垫;
在所述通孔中形成与第一焊垫电连接的再布线层,以及在所述第一开口中形成与第二焊垫电连接的电连线层,所述再布线层覆盖通孔内壁且延伸至所述晶圆的第二表面。
5.根据权利要求3所述的封装方法,其特征在于,通过所述通孔在所述指纹识别芯片的第二表面上形成与第一焊垫电连接的再布线层,包括:
形成绝缘层,所述绝缘层覆盖所述通孔的侧壁以及所述指纹识别芯片的第二表面、所述驱动芯片的第一表面;
填充所述通孔,以在所述第一焊垫上形成与第一焊垫电连接的金属插塞;
在所述金属插塞上形成与金属插塞电连接的再布线层,以及在所述第二焊垫上形成与第二焊垫电连接的电连线层。
6.根据权利要求3所述的封装方法,其特征在于,所述通孔为阶梯孔,从所述指纹识别芯片的第二表面形成贯通至第一焊垫的通孔,包括:
从指纹识别芯片的第二表面形成沟槽,所述沟槽位于第一焊垫上方;
在所述沟槽中形成贯通至第一焊垫的过孔,以形成阶梯孔,每一过孔对应一个第一焊垫;
通过所述通孔在所述指纹识别芯片的第二表面上形成与第一焊垫电连接的再布线层,包括:
形成绝缘层,所述绝缘层覆盖所述阶梯孔的侧壁以及所述指纹识别芯片的第二表面、所述驱动芯片的第一表面,且所述绝缘层上具有第一开口,所述第一开口暴露第二焊垫;
在阶梯孔中形成与第一焊垫电连接的再布线层,以及在所述第一开口上形成与第二焊垫电连接的电连线层,所述再布线层覆盖所述阶梯孔内壁且延伸至所述晶圆的第二表面。
7.根据权利要求4-6中任一项所述的封装方法,其特征在于,形成与再布线层电连接的焊接凸起,以及与第二焊垫电连接的焊接凸起,包括:
形成覆盖所述晶圆的第二表面的阻焊层,所述阻焊层上形成有第二开口,所述第二开口暴露再布线层以及电连线层;
在所述第二开口中形成焊接凸起。
8.根据权利要求4-6中任一项中任一项所述的封装方法,其特征在于,形成第一焊垫的再布线层的步骤中,还包括:
形成电连接第一焊垫和第二焊垫的互连线层。
9.根据权利要求1所述的封装方法,其特征在于,在提供晶圆之后、在所述晶圆的第二表面上形成盲孔之前,还包括:
提供支撑基板;
在所述晶圆的第一表面上形成第一粘合层,通过所述第一粘合层将支撑基板与所述晶圆对位压合。
10.根据权利要求9所述的封装方法,其特征在于,通过所述第一粘合层将支撑基板与所述晶圆对位压合之后,形成盲孔之前,还包括:
从所述晶圆的第二表面将所述晶圆进行减薄。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州晶方半导体科技股份有限公司,未经苏州晶方半导体科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710551619.5/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种非晶薄膜器件以及制作方法
- 下一篇:基板处理装置及基板处理方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造