[发明专利]半导体存储装置

权利要求书

1.一种半导体存储装置，其特征在于包含：

一个基底；

多个栅极，设置在该基底内；

多个插塞，设置在该基底上，该些插塞分别电连接该些栅极两侧的该基底；

一个电容结构，设置在该基底上，该电容结构包含多个电容，各该电容分别电连接该些插塞；

一个半导体层，该半导体层覆盖在该电容结构上并直接接触该电容结构，且一部分的该半导体层充填于各电容之间；

一个导电盖层，覆盖在该电容结构的顶表面与侧壁上的半导体层上；

一个粘着层，覆盖在该导电盖层与该电容结构之上；以及

一个绝缘层，覆盖在该粘着层上。

2.依据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于，该粘着层包含钛、氮化钛、钽、氮化钽、铝、氮化钨或钴。

3.依据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于，该粘着层包含一复合层结构。

4.依据权利要求3所述的半导体存储装置，其特征在于，该复合层结构是选自于由钛、氮化钛、钽、氮化钽、铝、氮化钨及钴所组成的群组。

5.依据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于，支撑层连接该电容结构的侧壁，该半导体层覆盖在该电容结构该侧壁的连接支撑层的部分具有较大的厚度。

6.依据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于，支撑层连接该电容结构的侧壁，该半导体层覆盖在该电容结构该侧壁的部分具有不平整的表面。

7.依据权利要求6所述的半导体存储装置，其特征在于，该导电盖层与该粘着层是共型地覆盖在该半导体层上。

8.依据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于，各该电容包含一个下电极、一个电容介电层以及一个上电极，各该下电极分别接触该些插塞。

9.依据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于，该绝缘层包含氧化硅。