[发明专利]一种用于驱动像素电路的方法有效

专利信息
申请号: 201710545849.0 申请日: 2017-07-06
公开(公告)号: CN107146576B 公开(公告)日: 2018-11-30
发明(设计)人: 曾玉超;梁鹏飞 申请(专利权)人: 深圳市华星光电技术有限公司
主分类号: G09G3/3225 分类号: G09G3/3225
代理公司: 北京聿宏知识产权代理有限公司 11372 代理人: 吴大建;张杰
地址: 518132 广东*** 国省代码: 广东;44
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 用于 驱动 像素 电路 方法
【说明书】:

发明提供了一种用于驱动像素电路的方法,包括:依次获得所述驱动薄膜晶体管的实际阈值电压和实际电流电压转换系数、所述有机发光二极管的实际发光效率;根据获得的所述驱动薄膜晶体管的实际阈值电压和实际电流电压转换系数、所述有机发光二极管的实际发光效率,计算输入至所述开关薄膜晶体管的源极的补偿数据信号。本发明可以补偿有机发光二极管的发光效率,以提高面板的亮度均匀性。

技术领域

本发明属于显示控制技术领域,具体地说,尤其涉及一种用于驱动AMOLED像素电路的方法。

背景技术

如图1所示为现有技术中一种AMOLED(Active Matrix Organic Light EmittingDiode,有源矩阵有机发光二极管)像素电路结构示意图,该像素电路包括开关薄膜晶体管T11、驱动薄膜晶体管T12、控制薄膜晶体管T13、存储电容C14和有机发光二极管OLED15。其中,开关薄膜晶体管T11的栅极用于输入扫描信号,源极用于输入数据信号,漏极连接驱动薄膜晶体管T12的栅极。驱动薄膜晶体管T12的源极用于输入第一驱动电压OVDD,漏极连接控制薄膜晶体管T13的漏极和有机发光二极管OLED15的阳极。控制薄膜晶体管T13的栅极用于输入控制信号SEN,源极用于输入使能信号VCM_en。存储电容C14的一端连接驱动薄膜晶体管T12的栅极,另一端连接驱动薄膜晶体管T12的漏极。有机发光二极管OLED15的阴极连接第二驱动电压OVSS。

对于图1所示的像素电路结构,通过对各像素电路结构中的驱动薄膜晶体管T12栅极和漏极之间的阈值电压Vth和电流电压转换系数k的差异性进行补偿来提高面板亮度均匀性。但是,有机发光二极管OLED15的发光效率η的差异性也会导致面板亮度不均匀。现有像素电路可补偿k、Vth差异,但未能补偿有机发光二极管OLED15发光效率η的差异。

发明内容

为解决以上问题,本发明提供了一种用于驱动像素电路的方法,用以补偿有机发光二极管的发光效率,以提高面板的亮度均匀性。

根据本发明的一个实施例,提供了一种用于驱动像素电路的方法,所述像素电路包括开关薄膜晶体管、驱动薄膜晶体管、控制薄膜晶体管、存储电容和有机发光二极管,所述开关薄膜晶体管的栅极用于输入扫描信号,源极用于输入数据信号,漏极连接所述驱动薄膜晶体管的栅极;所述驱动薄膜晶体管的源极用于输入第一驱动电压,漏极连接所述控制薄膜晶体管的漏极和所述有机发光二极管的阳极;所述控制薄膜晶体管的栅极用于输入控制信号,源极用于输入使能信号;所述存储电容的第一端连接所述驱动薄膜晶体管的栅极,第二端连接所述驱动薄膜晶体管的漏极,所述有机发光二极管的阴极连接第二驱动电压,

所述方法包括:

向所述像素电路施加扫描信号、数据信号、控制信号、使能信号、第一驱动电压和第二驱动电压,并依次获得所述驱动薄膜晶体管的实际阈值电压和实际电流电压转换系数、所述有机发光二极管的实际发光效率;

根据获得的所述驱动薄膜晶体管的实际阈值电压和实际电流电压转换系数、所述有机发光二极管的实际发光效率,计算输入至所述开关薄膜晶体管的源极的补偿数据信号,以对所述驱动薄膜晶体管的阈值电压和电流电压转换系数、所述有机发光二极管的发光效率进行补偿。

根据本发明的一个实施例,获得所述驱动薄膜晶体管的阈值电压,包括:

分别向所述开关薄膜晶体管的栅极施加扫描信号、源极施加第一数据信号,以使得所述驱动薄膜晶体管的栅极达到第一预置初始电位,同时分别向所述控制薄膜晶体管的栅极施加控制信号、源极施加使能信号,以使得所述驱动薄膜晶体管的漏极达到预定初始电位;

停止向所述控制薄膜晶体管的源极施加使能信号,在所述第一驱动电压对所述驱动薄膜晶体管的漏极进行充电至所述像素电路稳定后,采集所述驱动薄膜晶体管的漏极的电位值;

根据所述驱动薄膜晶体管的栅极的电位值和漏极的电位值,计算得到所述驱动薄膜晶体管的实际阈值电压。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市华星光电技术有限公司,未经深圳市华星光电技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710545849.0/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top