[发明专利]一种用于驱动像素电路的方法

权利要求书

1.一种用于驱动像素电路的方法，所述像素电路包括开关薄膜晶体管、驱动薄膜晶体管、控制薄膜晶体管、存储电容和有机发光二极管，所述开关薄膜晶体管的栅极用于输入扫描信号，源极用于输入数据信号，漏极连接所述驱动薄膜晶体管的栅极；所述驱动薄膜晶体管的源极用于输入第一驱动电压，漏极连接所述控制薄膜晶体管的漏极和所述有机发光二极管的阳极；所述控制薄膜晶体管的栅极用于输入控制信号，源极用于输入使能信号；所述存储电容的第一端连接所述驱动薄膜晶体管的栅极，第二端连接所述驱动薄膜晶体管的漏极，所述有机发光二极管的阴极连接第二驱动电压，

所述方法包括：

向所述像素电路施加扫描信号、数据信号、控制信号、使能信号、第一驱动电压和第二驱动电压，并依次获得所述驱动薄膜晶体管的实际阈值电压和实际电流电压转换系数、所述有机发光二极管的实际发光效率；

根据获得的所述驱动薄膜晶体管的实际阈值电压和实际电流电压转换系数、所述有机发光二极管的实际发光效率，计算输入至所述开关薄膜晶体管的源极的补偿数据信号，以对所述驱动薄膜晶体管的阈值电压和电流电压转换系数、所述有机发光二极管的发光效率进行补偿。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，获得所述驱动薄膜晶体管的阈值电压，包括：

分别向所述开关薄膜晶体管的栅极施加扫描信号、源极施加第一数据信号，以使得所述驱动薄膜晶体管的栅极达到第一预置初始电位，同时分别向所述控制薄膜晶体管的栅极施加控制信号、源极施加使能信号，以使得所述驱动薄膜晶体管的漏极达到预定初始电位；

停止向所述控制薄膜晶体管的源极施加使能信号，在所述第一驱动电压对所述驱动薄膜晶体管的漏极进行充电至所述像素电路稳定后，采集所述驱动薄膜晶体管的漏极的电位值；

根据所述驱动薄膜晶体管的栅极的电位值和漏极的电位值，计算得到所述驱动薄膜晶体管的实际阈值电压。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第一预置初始电位、所述驱动薄膜晶体管的阈值电压和所述预定初始电位满足以下条件：

Vth_OLED>Vdata-VCM>Vth

其中，Vth_OLED表示所述有机发光二极管的阈值电压，Vdata表示所述第一预置初始电位，VCM表示所述预定初始电位，Vth表示所述驱动薄膜晶体管的阈值电压。

4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，计算得到所述驱动薄膜晶体管的阈值电压进一步包括通过计算所述驱动薄膜晶体管的栅极和漏极之间的电位差得到所述实际阈值电压。

5.根据权利要求2-4中任一项所述的方法，其特征在于，获得所述驱动薄膜晶体管的电流电压转换系数，包括：

分别向所述开关薄膜晶体管的栅极施加扫描信号、源极施加第二数据信号，以使得所述驱动薄膜晶体管的栅极达到第二预置初始电位，同时分别向所述控制薄膜晶体管的栅极施加控制信号、源极施加使能信号，以使得所述驱动薄膜晶体管的漏极达到预定初始电位，其中，所述第二预置初始电位等于所述第一预置初始电位与所述驱动薄膜晶体管的实际阈值电压的和；

同时停止向所述开关薄膜晶体管的栅极施加扫描信号和向所述控制薄膜晶体管的源极施加使能信号，所述第一驱动电压对所述驱动薄膜晶体管的漏极进行充电；

对所述驱动薄膜晶体管的漏极充电预定时间后，采集所述驱动薄膜晶体管的漏极的电位值；

根据所述驱动薄膜晶体管的预定目标电流电压转换系数及对应的漏极电位值，以及获得的所述驱动薄膜晶体管的漏极的电位值和所述预定初始电位计算所述驱动薄膜晶体管的实际电流电压转换系数。