[发明专利]半导体存储装置及其读出方法

权利要求书

1.一种半导体存储装置的读出方法，所述读出方法的特征在于包括下述步骤：

对选择位线进行预充电；以及

对经预充电的所述选择位线的电压或电流从读出节点进行读出，

所述对选择位线进行预充电的步骤包括下述步骤：

将所述读出节点预充电至第1电压；

对于位于所述读出节点与位线之间的位线用节点，基于所述读出节点的所述第1电压，将所述位线用节点预充电至第1箝位电压；

在通过所述第1箝位电压对所述选择位线进行预充电后，将所述位线用节点预充电至比所述第1箝位电压大的第2箝位电压；以及

将所述读出节点预充电至比所述第1电压大的第2电压。

2.根据权利要求1所述的读出方法，其特征在于，

所述读出节点是经由第1晶体管来进行预充电，所述位线用节点是经由第2晶体管来进行预充电。

3.根据权利要求2所述的读出方法，其特征在于，

通过对所述第1晶体管的栅极施加第1信号电压来将所述第1电压预充电至所述读出节点，通过对所述第1晶体管的栅极施加第2信号电压来将所述第2电压预充电至所述读出节点，且所述第2信号电压大于所述第1信号电压。

4.根据权利要求2所述的读出方法，其特征在于，

通过对所述第2晶体管的栅极施加所述第1箝位用电压来将所述位线用节点预充电至所述第1箝位电压，通过对所述第2晶体管的栅极施加所述第2箝位用电压来将所述位线用节点预充电至所述第2箝位电压，且所述第2箝位用电压大于所述第1箝位用电压。

5.根据权利要求1所述的读出方法，其特征在于，

所述对选择位线进行预充电的步骤还包括：

将所述位线用节点的所述第1箝位电压预充电至耦合于位线的节点；以及

将所述位线用节点的所述第2箝位电压预充电至所述耦合于位线的节点。

6.根据权利要求5所述的读出方法，其特征在于，

所述耦合于位线的节点是经由第3晶体管来进行预充电。

7.根据权利要求5或6所述的读出方法，其特征在于，

所述对选择位线进行预充电的步骤还包括：

基于对所述耦合于位线的节点预充电的电压，来对偶数位线或奇数位线进行预充电。

8.根据权利要求7所述的读出方法，其特征在于，

所述偶数位线或所述奇数位线是经由偶数位线选择晶体管或奇数位线选择晶体管来进行预充电。

9.根据权利要求1至6中任一项所述的读出方法，其特征在于，

在对所述选择位线进行预充电时，进行先前读出的数据的输出。

10.根据权利要求1至6中任一项所述的读出方法，其特征在于，

在对所述选择位线进行预充电时，进行先前读出的数据的输出与错误检测纠正运算。

11.根据权利要求1至6中任一项所述的读出方法，其特征在于，

所述半导体存储装置为与非型闪速存储器。

12.一种半导体存储装置，其特征在于，包括：

存储胞元阵列，形成有多个存储胞元；以及

读出部件，耦接所述存储胞元阵列，用以读出存储于所述存储胞元阵列的存储胞元中的数据，

所述读出部件包含读出电路，所述读出电路对耦接所述读出部件的选择位线进行预充电，并读出经预充电的所述选择位线的电压或电流，

所述读出电路包含耦接读出节点并且用于对所述读出节点进行预充电的预充电用晶体管、及连接于所述读出节点与位线之间的箝位用晶体管，

所述读出部件经由所述预充电用晶体管来两次对所述读出节点进行预充电，且经由所述箝位用晶体管来两次对所述选择位线进行预充电。