[发明专利]半导体封装件及其形成方法

权利要求书

1.一种形成半导体封装件的方法，包括：

在晶种层上方形成图案化的第一光刻胶，其中，所述图案化的第一光刻胶中的第一开口暴露所述晶种层；

在所述第一开口中且在所述晶种层上镀第一导电材料；

去除所述图案化的第一光刻胶；

在去除所述图案化的第一光刻胶之后，在所述第一导电材料的侧壁上方且沿着所述第一导电材料的所述侧壁形成图案化的第二光刻胶，其中，所述图案化的第二光刻胶的第二开口暴露所述第一导电材料的部分；

在所述第二开口中且在所述第一导电材料上镀第二导电材料；

去除所述图案化的第二光刻胶；

在去除所述图案化的第二光刻胶之后，去除所述晶种层的暴露部分；以及

在所述第一导电材料和所述第二导电材料周围沉积介电层。

2.根据权利要求1所述的方法，还包括平坦化所述介电层，使得所述介电层的顶面与所述第二导电材料的顶面齐平。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述图案化的第二光刻胶的光敏材料设置在所述第二导电材料的底面和所述晶种层之间。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第二开口还暴露所述晶种层的部分。

5.根据权利要求1所述的方法，还包括在集成电路管芯上方且在密封所述集成电路管芯的密封剂上沉积所述晶种层。

6.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在载体衬底上方沉积所述晶种层；以及

在沉积所述晶种层之后，使用翻转芯片接合工艺接合位于所述介电层上方的集成电路管芯。

7.根据权利要求6所述的方法，还包括密封所述集成电路管芯，其中，密封所述集成电路管芯包括在所述集成电路管芯的底面和所述介电层之间分配密封剂。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，所述介电层包括光敏聚合物，并且其中，所述图案化的第二光刻胶比所述光敏聚合物支持更高分辨率的光刻工艺。

9.一种形成半导体封装件的方法，包括：

将集成电路管芯密封在密封剂中；

在所述密封剂和所述集成电路管芯上方沉积第一光刻胶；

在所述第一光刻胶中图案化第一开口以暴露第一导电材料；

在所述第一开口中镀导电通孔，其中，所述导电通孔电连接至所述集成电路管芯；

去除所述第一光刻胶；

在所述导电通孔周围沉积第一聚合物层，其中，所述第一聚合物层和所述第一光刻胶包括不同的材料；以及

平坦化所述第一聚合物层，使得所述第一聚合物层和所述导电通孔的顶面齐平。

10.一种半导体封装件，包括：

集成电路管芯；

密封剂，设置在所述集成电路管芯周围；

贯通孔，延伸穿过所述密封剂；以及

再分布结构，位于所述集成电路管芯和所述密封剂上方，其中，所述再分布结构的金属化图案包括：

导线，设置在介电层中并且电连接至所述集成电路管芯，其中，所述介电层接触所述密封剂的顶面；以及

导电通孔，位于所述导线上方且电连接至所述导线，其中，所述导电通孔的顶面与所述介电层的顶面齐平。