[发明专利]一种光电探测器及其制作方法

说明书

本发明公开了一种光电探测器及其制作方法，涉及探测器技术领域，解决了现有的光电探测器的制作工艺复杂，光电探测器的制作成本较高的技术问题。该光电探测器包括：氧化物半导体薄膜晶体管和PN结光电探测单元，PN结光电探测单元包括PN结下电极、PN结上电极以及依次设在PN结下电极和PN结上电极之间的N型层、感应层和P型层；其中，PN结上电极与氧化物半导体薄膜晶体管的漏极相连，N型层与氧化物半导体薄膜晶体管的半导体有源层的材质相同。本发明中的光电探测器应用于光电探测。

技术领域

本发明涉及探测器技术领域，尤其涉及一种光电探测器及其制作方法。

背景技术

完成图像信息光电变换的功能器件称为光电探测器。目前，光电探测器在军事和经济的各个领域都有广泛的用途。现有的光电探测器，大多采用基于薄膜晶体管的光电探测器，该光电探测器一般包括形成在同一基板上的薄膜晶体管和PN结光电探测单元。

在制作基于薄膜晶体管的光电探测器时，需要先在基板上制作薄膜晶体管，然后再在制作完成了薄膜晶体管的基板上，依次形成PN结下电极、N型层、感应层、P型层和PN结上电极，以形成PN结光电探测单元，从而完成光电探测器的制作。由此可见，现有的基于薄膜晶体管的光电探测器的制作工艺较为复杂，并且制作成本也较高。

发明内容

本发明的目的在于提供一种光电探测器及其制作方法，用于简化光电探测器的制作工艺，降低光电探测器的制作成本。

为达到上述目的，本发明提供一种光电探测器，采用如下技术方案：

该光电探测器包括：氧化物半导体薄膜晶体管和PN结光电探测单元，所述PN结光电探测单元包括PN结下电极、PN结上电极以及依次设在所述PN结下电极和所述PN结上电极之间的N型层、感应层和P型层；

其中，所述PN结上电极与所述氧化物半导体薄膜晶体管的漏极相连，所述N型层与所述氧化物半导体薄膜晶体管的半导体有源层的材质相同。

与现有技术相比，本发明提供的光电探测器具有以下有益效果：

在本发明提供的光电探测器中，光电探测器是由氧化物半导体薄膜晶体管和PN结光电探测单元组成的，并且该PN结光电探测单元中的N型层与氧化物半导体薄膜晶体管的半导体有源层的材质是相同的，这就使得在制作该光电探测器的过程中，通过一次构图工艺，即可在制作形成氧化物半导体薄膜晶体管的半导体有源层的同时，形成PN结探测单元的N型层，无需在制作完成整个氧化物半导体薄膜晶体管之后，再制作PN结光电探测单元，从而简化了光电探测器的制作工艺，降低了光电探测器的制作成本。

本发明还提供一种光电探测器的制作方法，采用如下技术方案：

该光电探测器的制作方法用于制作上述光电探测器，所述光电探测器的制作方法包括：

提供一基板；

在所述基板上分别形成栅极和PN结下电极；

在所述栅极上形成覆盖所述栅极的栅极绝缘层；

在所述栅极绝缘层上形成半导体有源层，在所述PN结下电极上形成N型层，所述半导体有源层和所述N型层通过一次构图工艺形成；

在所述半导体有源层上形成源极和漏极；

在所述N型层上形成感应层，在所述感应层上形成P型层；

在所述源极、所述漏极和所述半导体有源层上均形成第一钝化层，对所述第一钝化层进行构图工艺，形成对应所述漏极的第一过孔；

在所述第一钝化层和所述P型层上形成PN结上电极，使所述PN结上电极通过所述第一过孔与所述漏极相连；

在所述PN结上电极上形成第二钝化层。