[发明专利]一种光电探测器及其制作方法

权利要求书

1.一种光电探测器的制作方法，其特征在于，所述光电探测器的制作方法包括：

提供一基板；

在所述基板上分别形成栅极和PN结下电极；

在所述栅极上形成覆盖所述栅极的栅极绝缘层；

在所述栅极绝缘层上形成半导体有源层，在所述PN结下电极上形成N型层，所述半导体有源层和所述N型层通过一次构图工艺形成；

在所述半导体有源层上形成源极和漏极；

在所述N型层上形成感应层，在所述感应层上形成P型层；

在所述源极、所述漏极和所述半导体有源层上均形成第一钝化层，对所述第一钝化层进行构图工艺，形成对应所述漏极的第一过孔；

在所述第一钝化层和所述P型层上形成PN结上电极，使所述PN结上电极通过所述第一过孔与所述漏极相连；

在所述PN结上电极上形成第二钝化层；

在所述第一钝化层和所述P型层上形成PN结上电极之前，所述光电探测器的制作方法还包括：

在所述P型层上形成PN结钝化层，对所述PN结钝化层进行构图工艺，形成对应所述P型层的第二过孔；

在所述第一钝化层和所述PN结钝化层上，均形成厚度为1.7μm～2.2μm的有机树脂层；

对所述有机树脂层进行构图工艺，形成第三过孔和第四过孔，其中，所述第三过孔对应所述第一过孔，所述第四过孔对应所述第二过孔；

在所述有机树脂层上，形成所述PN结上电极，使所述PN结上电极通过所述第一过孔和所述第三过孔与所述漏极相连，通过所述第二过孔和所述第四过孔与所述P型层相连。

2.根据权利要求1所述的光电探测器的制作方法，其特征在于，在所述基板上分别形成栅极和PN结下电极的步骤包括：

在所述基板上形成厚度为的第一金属层，对所述第一金属层进行一次构图工艺，形成所述栅极和所述PN结下电极。

3.根据权利要求1所述的光电探测器的制作方法，其特征在于，在所述栅极绝缘层上形成半导体有源层，在所述PN结下电极上形成N型层的步骤包括：

在所述栅极绝缘层和所述PN结下电极上，形成厚度为的铟镓锌氧化物薄膜，对所述铟镓锌氧化物薄膜进行一次构图工艺，形成所述半导体有源层和所述N型层。

4.根据权利要求1所述的光电探测器的制作方法，其特征在于，所述第一钝化层和所述PN结钝化层通过一次沉积工艺形成，通过一次构图工艺，形成所述第一过孔和所述第二过孔；

所述第一钝化层和所述第二钝化层均为二氧化硅膜层、氮氧化硅膜层和/或氮化硅膜层；

所述第一钝化层的厚度为所述第二钝化层的厚度为

5.一种采用如权利要求1-4任一项所述的制作方法制作的光电探测器，其特征在于，包括：氧化物半导体薄膜晶体管和PN结光电探测单元，所述PN结光电探测单元包括PN结下电极、PN结上电极以及依次设在所述PN结下电极和所述PN结上电极之间的N型层、感应层和P型层；

其中，所述PN结上电极与所述氧化物半导体薄膜晶体管的漏极相连；所述N型层与所述氧化物半导体薄膜晶体管的半导体有源层的材质相同；

所述N型层与所述氧化物半导体薄膜晶体管的半导体有源层同层设置。

6.根据权利要求5所述的光电探测器，其特征在于，所述N型层与所述半导体有源层的材质均为铟镓锌氧化物，所述N型层和所述半导体有源层的厚度均为

7.根据权利要求5所述的光电探测器，其特征在于，所述感应层为非晶硅感应层；所述非晶硅感应层的厚度为

8.根据权利要求5所述的光电探测器，其特征在于，所述氧化物半导体薄膜晶体管的栅极和所述PN结下电极的材质相同。

9.根据权利要求5或8所述的光电探测器，其特征在于，所述P型层为硼烷掺杂的非晶硅层；

栅极、所述氧化物半导体薄膜晶体管的源极、所述漏极和所述PN结下电极的材质均为铝、钼、铜、铝铌合金、钼铌合金、铝钼合金或铜钼合金。