[发明专利]具低压基极触发静电电流放电电路的高压静电保护电路

权利要求书

1.一种具低压基极触发静电电流放电电路的高压静电保护电路，其特征在于，包括：

一静电检知电路；

一堆叠式低压半导体元件电路，并联该静电检知电路，且由多个低压NMOS晶体管串接而成；其中各该低压NMOS晶体管的半导体结构成形于一N型深阱中，使其基极与P型基板隔离，而该堆叠式低压半导体元件电路的一崩溃电压为该些低压NMOS晶体管的崩溃电压的加总；

一开关电路，包含有多个第一高压NMOS晶体管，分别连接于该静电检知电路及其对应低压NMOS晶体管之间，受该静电检知电路触发而触发其对应低压NMOS晶体管导通；其中各该第一高压NMOS晶体管的半导体结构成形于该P型基板中，令其基极直接连接至该P型基板，且其漏极形成于一轻掺杂区域中，又该漏极及栅极一同连接至该静电检知电路。

2.根据权利要求1所述的高压静电保护电路，其特征在于，各该低压NMOS晶体管进一步包含有一第一电阻，连接于对应低压NMOS晶体管的栅极及源极之间。

3.根据权利要求1至2任一项所述的高压静电保护电路，其特征在于，该静电检知电路包含：

一第二电阻，与一电容串连连接；

一反相器，与该串连的第二电阻及电容并联，其一输入端连接至该第二电阻及电容的串接节点，其一输出端连接至该开关电路的各第一高压NMOS晶体管。

4.根据权利要求3所述的高压静电保护电路，其特征在于，该电容为一第一高压PMOS晶体管构成，其栅极供一高压系统电源的低电位端连接。

5.根据权利要求3所述的高压静电保护电路，其特征在于，该反相器包含有：

一第二高压PMOS晶体管，其源极供一高压系统电源的高电位端连接；以及

一第二高压NMOS晶体管，其源极供该高压系统电源的低电位端连接，其栅极连接至该第二高压PMOS元件的栅极，并与该反相器的输入端连接，又该第二高压NMOS晶体管的漏极连接至第二高压PMOS晶体管的漏极，并与该反相器的输出端连接。

6.根据权利要求2所述的高压静电保护电路，其特征在于，各该低压NMOS晶体管为一5V隔离型栅极电阻接地NMOS晶体管。