[发明专利]一种修饰石墨烯担载贵金属氧化物阳极的制备方法

权利要求书

1.一种高性能金属氧化物阳极，其特征在于：包括导电基体和在导电基体上沉积的一层由修饰石墨烯掺杂的贵金属氧化物涂层。

2.如权利要求1所述的高性能金属氧化物阳极，其特征在于：所述导电基体采用的是阀金属钛，质量百分比纯度大于99％。

3.如权利要求1或2所述的高性能金属氧化物阳极，其特征在于：所述导电基体的结构形状可以为网状、板状、管状或棒状。

4.如权利要求1或2所述的高性能金属氧化物阳极，其特征在于：所述贵金属氧化物涂层可以由IrO₂、RuO₂、PtO₂、Ta₂O₅、SnO₂中的单一组分或多组分复合构成。

5.如权利要求4所述的高性能金属氧化物阳极，其特征在于：待修饰的石墨烯的单层率大于70％，纯度大于99％，厚度为0.8～1.2nm。

6.如权利要求1或2所述的高性能金属氧化物阳极，其特征在于：所述修饰石墨烯是采用氮(N)官能团进行功能修饰的石墨烯。

7.如权利要求1或2所述的高性能金属氧化物阳极，其特征在于：所述氮(N)官能团功能修饰的石墨烯采用等离子体预处理法修饰石墨烯表面获得。

8.应用于权利要求1至7任一项所述阳极的修饰石墨烯的制备方法，其特征在于：

在氮气气氛下等离子处理时间为80s～200s，氮气的流量控制在6×10^-3m³/h，氮气压力为50Pa～300Pa，等离子功率为75W～120W，得到N官能团修饰的石墨烯。

9.应用于权利要求1至7任一项所述阳极的修饰石墨烯掺杂贵金属氧化物的方法，其特征在于，包括：

第一步，修饰石墨烯的制备；

第二步，贵金属氧化物前驱体盐溶液的制备；

第三步，修饰石墨烯的掺杂。

10.权利要求1至7任一项所述阳极的制备方法，其特征在于，包括：

第一步，修饰石墨烯的制备；

第二步，修饰石墨烯掺杂贵金属氧化物溶液的制备；

第三步，将含修饰石墨烯担载贵金属氧化物的溶液转移至电解槽中，经过除油、草酸刻蚀的钛基体作为阴极，铂片作为阳极，阴阳极间距为30mm，采用脉冲电源施加电流密度10mA/cm²～15mA/cm²，电沉积时间为10min～60min，最终在钛基体表面得到修饰石墨烯增强金属氧化物阳极。