[发明专利]薄膜晶体管及其制作方法、显示基板及显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别是指一种薄膜晶体管及其制作方法、显示基板及显示装置。

背景技术

近年，随着AR(Augmented Reality，增强现实技术)/VR(Virtual Reality，虚拟现实技术)显示的爆发式发展，超高PPI(像素密度)(≥1000PPI)显示基板技术的开发正逐渐成为显示技术的主流方向之一。但是现有的底栅型薄膜晶体管和背沟道刻蚀型薄膜晶体管的尺寸都比较大，不适用于超高PPI的显示基板。垂直结构的薄膜晶体管的尺寸相比于底栅型薄膜晶体管和背沟道刻蚀型薄膜晶体管大大减小，展现了垂直结构的薄膜晶体管在超高PPI显示基板中的应用前景。

但是如图1所示的现有垂直结构的薄膜晶体管中，可以看出，漏电极5仅有一小部分与有源层6相接触，相比于底栅型薄膜晶体管和背沟道刻蚀型薄膜晶体管，漏电极5与有源层6的接触面积较小，将会影响薄膜晶体管的性能，导致显示基板的驱动功耗增加。

发明内容

本发明要解决的技术问题是提供一种薄膜晶体管及其制作方法、显示基板及显示装置，能够改善垂直结构的薄膜晶体管的性能，进而降低显示基板的驱动功耗。

为解决上述技术问题，本发明的实施例提供技术方案如下：

一方面，提供一种薄膜晶体管，包括位于衬底基板上的第一极、有源层、第二极、栅绝缘层和栅电极，所述第一极上设置有间隔层，所述间隔层未完全覆盖所述第一极，所述有源层包括位于所述间隔层上的第一部分和位于所述第一极上的第二部分，所述第二极位于所述有源层的第一部分上，其中，所述第一极为源电极和漏电极中的其中一个，所述第二极为源电极和漏电极中的另外一个。

进一步地，所述栅绝缘层位于所述有源层上，所述栅电极位于所述栅绝缘层上，所述第二极在所述衬底基板上的正投影与所述栅电极在所述衬底基板上的正投影不存在重叠区域。

进一步地，所述薄膜晶体管具体包括：

位于衬底基板上的所述第一极；

位于所述第一极上的所述间隔层；

位于所述第一极和所述间隔层上的所述有源层；

位于所述有源层的第一部分上的所述第二极；

位于所述有源层上的所述栅绝缘层，所述栅绝缘层与所述第二极相距一定距离；

位于所述栅绝缘层上的所述栅电极。

进一步地，所述间隔层的厚度不小于

本发明实施例还提供了一种显示基板，包括如上所述的薄膜晶体管。

本发明实施例还提供了一种显示装置，包括如上所述的显示基板。

本发明实施例还提供了一种薄膜晶体管的制作方法，包括：

在衬底基板上形成薄膜晶体管的第一极；

在所述第一极上形成间隔层，所述间隔层未完全覆盖所述第一极；

形成薄膜晶体管的有源层，所述有源层包括位于所述间隔层上的第一部分和位于所述第一极上的第二部分；

在所述有源层的第一部分上形成薄膜晶体管的第二极；

其中，所述第一极为源电极和漏电极中的其中一个，所述第二极为源电极和漏电极中的另外一个。

进一步地，还包括：

在所述有源层上形成栅绝缘层；

在所述栅绝缘层上形成薄膜晶体管的栅电极，所述第二极在所述衬底基板上的正投影与所述栅电极在所述衬底基板上的正投影不存在重叠区域。

进一步地，通过一次构图工艺形成所述第一极和所述间隔层。

进一步地，通过一次构图工艺同时形成所述栅电极和所述第二极。

本发明的实施例具有以下有益效果：

上述方案中，有源层包括位于间隔层上的第一部分和位于第一极上的第二部分，且第二极位于有源层的第一部分上，这样相比于现有垂直结构的薄膜晶体管，能够提高第一极以及第二极与有源层的接触面积，改善垂直结构的薄膜晶体管的性能，进而降低显示基板的驱动功耗。

附图说明

图1为现有垂直结构的薄膜晶体管的结构示意图；

图2为现有背沟道刻蚀型薄膜晶体管的结构示意图；

图3为现有顶栅型薄膜晶体管的结构示意图；

图4-图14为本发明实施例薄膜晶体管的制作流程示意图。

附图标记

1 衬底基板2 缓冲层3 源电极 4 间隔层

5 漏电极6 有源层7 栅绝缘层 8 栅电极

9 层间绝缘层10 光刻胶 41 间隔层过渡图形

81 导电层

具体实施方式