[发明专利]薄膜晶体管及其制作方法、显示基板及显示装置

权利要求书

1.一种薄膜晶体管，包括位于衬底基板上的第一极、有源层、第二极、栅绝缘层和栅电极，其特征在于，所述第一极上设置有间隔层，所述间隔层未完全覆盖所述第一极，所述有源层包括位于所述间隔层上的第一部分和位于所述第一极上的第二部分，所述第二极位于所述有源层的第一部分上，其中，所述第一极为源电极和漏电极中的其中一个，所述第二极为源电极和漏电极中的另外一个。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述栅绝缘层位于所述有源层上，所述栅电极位于所述栅绝缘层上，所述第二极在所述衬底基板上的正投影与所述栅电极在所述衬底基板上的正投影不存在重叠区域。

3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管具体包括：

位于衬底基板上的所述第一极；

位于所述第一极上的所述间隔层；

位于所述第一极和所述间隔层上的所述有源层；

位于所述有源层的第一部分上的所述第二极；

位于所述有源层上的所述栅绝缘层，所述栅绝缘层与所述第二极相距一定距离；

位于所述栅绝缘层上的所述栅电极。

4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述间隔层的厚度不小于

5.一种显示基板，其特征在于，包括如权利要求1-4中任一项所述的薄膜晶体管。

6.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求5所述的显示基板。

7.一种薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，包括：

在衬底基板上形成薄膜晶体管的第一极；

在所述第一极上形成间隔层，所述间隔层未完全覆盖所述第一极；

形成薄膜晶体管的有源层，所述有源层包括位于所述间隔层上的第一部分和位于所述第一极上的第二部分；

在所述有源层的第一部分上形成薄膜晶体管的第二极；

其中，所述第一极为源电极和漏电极中的其中一个，所述第二极为源电极和漏电极中的另外一个。

8.根据权利要求7所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，还包括：

在所述有源层上形成栅绝缘层；

在所述栅绝缘层上形成薄膜晶体管的栅电极，所述第二极在所述衬底基板上的正投影与所述栅电极在所述衬底基板上的正投影不存在重叠区域。

9.根据权利要求7所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，通过一次构图工艺形成所述第一极和所述间隔层。

10.根据权利要求8所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，通过一次构图工艺同时形成所述栅电极和所述第二极。