[发明专利]电子开关和反极性保护电路

说明书

提供了电子开关和反极性保护电路。公开了一种电子电路。该电子电路包括第一晶体管器件、至少一个第二晶体管器件、和驱动电路。第一晶体管器件集成在第一半导体主体中，包括位于第一半导体主体的第一表面处的第一负载焊盘和位于第一半导体主体的第二表面处的控制焊盘和第二负载焊盘，并且配置为依赖于第一驱动电压而导通或者断开。至少一个第二晶体管器件集成在第二半导体主体中，包括位于第二半导体主体的第一表面处的第一负载焊盘和位于第二半导体主体的第二表面处的控制焊盘和第二负载焊盘，并且配置为依赖于第二驱动电压而导通或者断开。驱动电路配置为生成第一和第二驱动电压。第一和至少一个第二晶体管器件的负载路径串联连接。

技术领域

本公开大体上涉及一种电子电路，具体涉及一种电子开关和反极性保护电路。

背景技术

诸如MOSFET(金属氧化物场效应晶体管)的场效应控制型晶体管器件作为电子开关广泛用于不同类型的应用中，诸如汽车、工业、家居、或者消费性电子应用中。MOSFET是一种电压控制器件，其包括控制节点和在两个负载节点之间的负载路径，并且依赖于在控制节点与负载节点中的一个负载节点之间接收到的驱动电压而导通或者断开。通常，控制节点称为栅极节点，负载节点分别称为漏极节点和源极节点，并且控制MOSFET的电压称为栅极-源极电压。MOSFET通常包括位于两个负载节点之间的内部二极管(往往称为体二极管)。由于该二极管，只有在负载节点之间施加的负载路径电压具有使内部二极管反向偏置的极性时，MOSFET才可以被驱动电压导通和断开。如果负载路径电压使内部二极管正向偏置，则MOSFET独立于驱动电压来传导电流。

发明内容

需要提供一种能够依赖于驱动电压并且独立于负载路径电压的极性而断开的集成电路。

一个实施例涉及一种电子电路。该电子电路包括第一晶体管器件、至少一个第二晶体管器件、和驱动电路。第一晶体管器件集成在第一半导体主体中，包括位于第一半导体主体的第一表面处的第一负载焊盘以及位于第一半导体主体的第二表面处的控制焊盘和第二负载焊盘，并且配置为依赖于在控制焊盘与第一负载焊盘之间接收的第一驱动电压而导通或者断开。至少一个第二晶体管器件集成在第二半导体主体中，包括位于第二半导体主体的第一表面处的第一负载焊盘以及位于第二半导体主体的第二表面处的控制焊盘和第二负载焊盘，并且配置为依赖于在控制焊盘与第一负载焊盘之间接收的第二驱动电压而导通或者断开。驱动电路配置为生成第一驱动电压和第二驱动电压。第一晶体管器件的第一负载焊盘和至少一个第二晶体管器件的第一负载焊盘被安装至导电载体，使得第一晶体管器件和至少一个第二晶体管器件的负载路径串联连接。

附图说明

下面参照附图来阐释示例。附图用于图示某些原理，因而仅图示了理解这些原理所必要的方面。附图并未按比例。在附图中，相同的附图标记表示类似的特征。

图1示出了根据一个示例的具有第一晶体管器件、第二晶体管器件、和驱动电路的电子电路的电路图；

图2图示了如何可以实施第一晶体管器件和第二晶体管器件的一个示例；

图3示出了如何可以实施第一晶体管器件和第二晶体管器件的另一示例；

图4A和图4B分别示出了包括图1所示的电子电路的半导体芯片布置的俯视图和垂直截面图；

图5A和图5B示出了如何可以实施图4A所图示的连接线的不同示例；

图6更详细地示出了驱动电路的一个示例；

图7更详细地示出了驱动电路的另一示例；

图8示出了根据另一示例的包括图1所示的电子电路的半导体芯片布置；

图9示出了根据又一示例的包括图1所示的电子电路的半导体芯片布置；

图10示出了根据再一示例的包括图1所示的电子电路的半导体芯片布置；