[发明专利]半导体器件的分裂栅结构的制造方法有效
| 申请号： | 201710533758.5 | 申请日： | 2017-07-03 |
| 公开（公告）号： | CN109216172B | 公开（公告）日： | 2021-01-05 |
| 发明（设计）人： | 祁树坤 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L29/423 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 邓云鹏 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 分裂 结构 制造 方法 | ||
1.一种半导体器件的分裂栅结构的制造方法，包括：
步骤A，在晶圆表面形成沟槽；
步骤B，通过淀积向所述沟槽内填充氧化硅；
步骤C，通过刻蚀去除掉沟槽内的氧化硅表面的一部分；
步骤D，通过热氧化在沟槽顶部的拐角处形成氧化硅拐角结构，所述氧化硅拐角结构为从拐角处往下、位于沟槽内部的氧化硅逐渐变厚的结构；
步骤E，在晶圆表面淀积含氮化合物，覆盖所述沟槽内的氧化硅表面及所述氧化硅拐角结构表面；
步骤F，干法刻蚀所述含氮化合物，将沟槽底部的氧化硅表面的含氮化合物去除，所述氧化硅拐角结构表面形成向沟槽内延伸的含氮化合物残留；
步骤G，以所述含氮化合物残留为掩膜，通过刻蚀去除掉沟槽内的氧化硅表面的一部分；
依次重复执行步骤E至步骤G，直至将沟槽内的氧化硅刻蚀至所需的底部氧化硅厚度，每执行一次步骤F所述含氮化合物残留就进一步向沟槽内延伸，所述沟槽内的氧化硅包括底部氧化硅和侧壁氧化硅，所述侧壁氧化硅的厚度从沟槽顶部至沟槽底部逐渐增厚；
步骤H，向所述沟槽内填入下层多晶硅；
步骤I，通过湿氧氧化在所述下层多晶硅上形成隔离氧化硅；
步骤J，去除所述沟槽内的含氮化合物；
步骤K，在所述侧壁氧化硅表面再生长氧化硅；
步骤L，在所述沟槽内形成隔离氧化硅上的上层多晶硅。
2.根据权利要求1所述的半导体器件的分裂栅结构的制造方法，其特征在于，所述步骤B之前还包括对所述沟槽进行侧壁氧化的步骤。
3.根据权利要求1所述的半导体器件的分裂栅结构的制造方法，其特征在于，所述步骤B是采用高密度等离子化学气相淀积工艺填充氧化硅。
4.根据权利要求1所述的半导体器件的分裂栅结构的制造方法，其特征在于，所述步骤E是采用化学气相淀积工艺淀积含氮化合物。
5.根据权利要求1所述的半导体器件的分裂栅结构的制造方法，其特征在于，所述步骤A是以氮化硅为掩膜刻蚀形成沟槽。
6.根据权利要求1所述的半导体器件的分裂栅结构的制造方法，其特征在于，所述步骤J是通过浓磷酸湿法去除含氮化合物。
7.根据权利要求1所述的半导体器件的分裂栅结构的制造方法，其特征在于，所述步骤K是生长高温氧化膜。
8.根据权利要求1所述的半导体器件的分裂栅结构的制造方法，其特征在于，所述通过热氧化在沟槽顶部的拐角处形成氧化硅拐角结构的步骤中，氧化温度为800～950摄氏度。
9.根据权利要求1所述的半导体器件的分裂栅结构的制造方法，其特征在于，所述步骤I是通过硅的局部氧化工艺形成所述隔离氧化硅。
10.根据权利要求1-9中任一项所述的半导体器件的分裂栅结构的制造方法，其特征在于，所述含氮化合物包括氮化硅、氮氧化硅、氮化硼、氮化钛中的至少一种。
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