[发明专利]管式PERC太阳能电池的修复工艺及制备工艺

权利要求书

1.一种管式PERC太阳能电池的修复工艺，其特征在于，所述修复工艺设置在硅片退火之后，硅片背面镀膜之前，所述修复工艺包括：

(1)将扩散、刻蚀、退火后，镀膜前停留时间超过4小时的半成品硅片置入修复炉，所述修复炉包括炉外腔,旋转内腔和中心固定机构，中心固定机构上设置有红外灯和喷气管，旋转内腔上设置有放置硅片的卡槽和连通炉外腔的通孔，所述喷气管通入流量为5-10slm的氮气实现自洁，所述氮气的通入时间为1-5min；

(2)通入流量为5-20slm的氮气，用于吹扫硅片上的灰尘；

(3)将修复炉从室温升温到500-650℃，升温时间为5-20min，同时通入流量为1-5slm的氮气；

(4)将修复炉在500-650℃恒温5-30min，同时通入流量为5-20slm的氮气。

2.如权利要求1所述管式PERC太阳能电池的修复工艺，其特征在于，所述修复工艺包括：

(1)将退火后镀膜前停留时间超过4小时的半成品硅片置入修复炉，所述修复炉包括炉外腔,旋转内腔和中心固定机构，中心固定机构上设置有红外灯和喷气管，旋转内腔上设置有放置硅片的卡槽和连通炉外腔的通孔，所述喷气管通入流量为6-8slm的氮气实现自洁，所述氮气的通入时间为2-4min；

(2)通入流量为5-20slm的氮气，用于吹扫硅片上的灰尘；

(3)将修复炉从室温升温到550-650℃，升温时间为5-20min，同时通入流量为2-4slm的氮气；

(4)将修复炉在550-650℃恒温10-20min，同时通入流量为8-15slm的氮气。

3.如权利要求1-2任一项所述管式PERC太阳能电池的修复工艺，其特征在于，所述硅片退火包括以下步骤：

对硅片进行退火，退火温度为700-820℃，氮气流量为1-15L/min，氧气流量为0.1-6L/min。

4.如权利要求1-2任一项所述管式PERC太阳能电池的修复工艺，其特征在于，所述硅片背面镀膜采用管式PECVD设备进行，包括以下步骤：

采用TMA与N₂O沉积三氧化二铝膜，TMA的气体流量为250-500sccm，TMA与N₂O的比例为1/15-25，等离子功率为2000-5000w；

采用硅烷、氨气和笑气沉积氮氧化硅膜，硅烷的气体流量为50-200sccm，硅烷与笑气的比例为1/10-80，氨气的流量为0.1-5slm，等离子功率为4000-6000w；

采用硅烷和氨气沉积氮化硅膜，硅烷的气体流量为500-1000sccm，硅烷与氨气的比例为1/6-15，氮化硅的沉积温度为390-410℃，时间为100-500s，等离子功率为10000-13000w；

采用笑气沉积二氧化硅膜，笑气的流量为0.1-5slm，等离子功率为2000-5000w。

5.如权利要求4所述管式PERC太阳能电池的修复工艺，其特征在于，所述硅片背面镀膜采用管式PECVD设备进行，包括以下步骤：

采用TMA与N₂O沉积三氧化二铝膜，TMA的气体流量为250-500sccm，TMA与N₂O的比例为1/15-25，三氧化二铝膜的沉积温度为250-300℃，时间为50-300s，等离子功率为2000-5000w；

采用硅烷、氨气和笑气沉积氮氧化硅膜，硅烷的气体流量为50-200sccm，硅烷与笑气的比例为1/10-80，氨气的流量为0.1-5slm，氮氧化硅膜的沉积温度为350-410℃，时间为50-200s，等离子功率为4000-6000w；

采用硅烷和氨气沉积氮化硅膜，硅烷的气体流量为500-1000sccm，硅烷与氨气的比例为1/6-15，氮化硅膜的沉积温度为390-410℃，时间为100-400s，等离子功率为10000-13000w；

采用笑气沉积二氧化硅膜，笑气的流量为0.1-5slm，等离子功率为2000-5000w。