[发明专利]指纹识别封装结构及其制造方法在审
| 申请号: | 201710532412.3 | 申请日: | 2017-07-03 |
| 公开(公告)号: | CN108630556A | 公开(公告)日: | 2018-10-09 |
| 发明(设计)人: | 陈宪章;黄东鸿 | 申请(专利权)人: | 南茂科技股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/56 | 分类号: | H01L21/56;H01L21/60;H01L23/31;G06K9/00 |
| 代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 马雯雯;臧建明 |
| 地址: | 中国台湾新竹科*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 封装胶体 导通柱 凹沟 基板 接垫 指纹识别芯片 封装结构 指纹识别 导电层 配置 导电层填 外露 保护层 包封 移除 走线 埋设 制造 | ||
1.一种指纹识别封装结构的制造方法,其特征在于,包括:
提供基板;
配置多个导通柱至所述基板;
配置指纹识别芯片至所述基板,其中所述指纹识别芯片包括远离所述基板的主动面及位于所述主动面的多个接垫;
形成封装胶体在所述基板上并包封所述指纹识别芯片及所述多个导通柱的周围,其中所述多个导通柱及所述多个接垫外露于所述封装胶体,所述封装胶体包括多个凹沟,所述多个凹沟至少位于对应于所述多个导通柱与所述多个接垫之间的部位;
形成导电层至所述封装胶体上,其中所述导电层填入所述多个凹沟并连接所述多个导通柱与所述多个接垫;
移除所述导电层在所述多个凹沟以外的部分,以形成埋设在所述封装胶体的多条走线;以及
配置保护层至所述封装胶体上。
2.根据权利要求1所述的指纹识别封装结构的制造方法,其特征在于,在形成所述封装胶体在所述基板上的步骤中,还包括:
提供模具,其中所述模具包括压模表面及凸出于所述压模表面的多个凸出部;以及
在所述基板与所述模具之间形成所述封装胶体,所述封装胶体的所述多个凹沟对应于所述模具的所述多个凸出部,所述多个导通柱与所述多个接垫外露在所述多个凹沟的底面,且各所述凹沟从其中一个所述导通柱延伸至对应的所述接垫。
3.根据权利要求2所述的指纹识别封装结构的制造方法,其特征在于,各所述凹沟在对应于所述导通柱与所述接垫的部位的深度大于在对应于所述导通柱与所述接垫之间的部位的深度。
4.根据权利要求1所述的指纹识别封装结构的制造方法,其特征在于,在形成所述封装胶体在所述基板上的步骤中,还包括:
提供模具;
在所述基板与所述模具之间形成所述封装胶体,其中所述封装胶体包封所述指纹识别芯片及所述多个导通柱;
磨除部分的所述封装胶体,以使所述多个导通柱及所述多个接垫外露;以及
将所述封装胶体在位于所述多个导通柱与所述多个接垫之间的部分移除,以形成所述多个凹沟。
5.根据权利要求1所述的指纹识别封装结构的制造方法,其特征在于,在形成所述封装胶体在所述基板上的步骤中,还包括:
提供模具;
在所述基板与所述模具之间形成所述封装胶体,其中所述封装胶体包封所述指纹识别芯片及所述多个导通柱的周围,且所述多个导通柱与所述多个接垫外露于所述封装胶体;
将所述封装胶体在位于所述多个导通柱与所述多个接垫之间的部分移除,以形成所述多个凹沟。
6.根据权利要求4或5所述的指纹识别封装结构的制造方法,其特征在于,在形成所述多个凹沟的步骤中,还包括:
所述封装胶体上以激光切割的方式形成所述多个凹沟。
7.根据权利要求1所述的指纹识别封装结构的制造方法,其特征在于,所述导电层以电镀、溅镀或涂布的方式配置于所述封装胶体。
8.根据权利要求1所述的指纹识别封装结构的制造方法,其特征在于,在移除部分的所述导电层的步骤中,以磨除或蚀刻的方式以将所述导电层在位于所述多个凹沟之外的部分移除。
9.一种指纹识别封装结构,其特征在于,包括:
基板;
多个导通柱,配置在所述基板;
指纹识别芯片,配置在所述基板且包括远离所述基板的主动面及位于所述主动面的多个接垫;
封装胶体,配置在所述基板上并包封所述指纹识别芯片及所述多个导通柱;
多条走线,分别连接所述多个导通柱与所述多个接垫,且埋设所述封装胶体;以及
保护层,设置在所述封装胶体上。
10.根据权利要求1所述的指纹识别封装结构的制造方法,其特征在于,所述封装胶体包括多个凹沟,所述多个凹沟分别从对应于所述多个导通柱处延伸至对应于所述多个接垫处,且所述多个走线位于所述多个凹沟内。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南茂科技股份有限公司,未经南茂科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710532412.3/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:半导体封装结构及其制造方法
- 下一篇:具有叠层封装互连的多封装集成电路组件
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





