[发明专利]一种晶体制备方法及反应炉

权利要求书

1.一种晶体制备方法，其特征在于，

该制备方法具体为氮化铝晶体的制备方法，包括由反应炉炉体外部的氮化铝气体和碳化硅气体分时段进入反应炉体内并形成该两种晶体多层结构的过程。

2.如权利要求1所述的一种晶体制备方法，其特征在于，氮化铝气体和碳化硅气体分别与加热氮气流一起进入反应炉炉体内。

3.如权利要求1所述的一种晶体制备方法所应用的反应炉，其特征在于，包括炉体、位于炉体外围的隔热层、位于炉体内的坩埚、和位于炉体外部的碳化硅气源室和氮化铝气源室，所述坩埚内部形成生长室，所述碳化硅气源室和所述氮化铝气源室均通过引流管与所述炉体内部连通，所述碳化硅气源室和所述氮化铝气源室均设有加热线圈。

4.如权利要求3所述的反应炉，其特征在于，所述引流管在靠近炉体入口的位置设有节流阀。

5.如权利要求3所述的反应炉，其特征在于，气源室出口与炉体入口间的引流管的长度为5～10cm。

6.如权利要求3所述的反应炉，其特征在于，所述炉体底部为锥型结构，该锥形结构的顶角为30°～60°。

7.如权利要求6所述的反应炉，其特征在于，所述炉体底部的锥形结构内设有钨丝网，所述坩埚位于所述钨丝网上。

8.如权利要求3所述的反应炉，其特征在于，所述炉体顶部设有孔，所述孔的出口处设有钨片。

9.如权利要求3所述的反应炉，其特征在于，所述坩埚与所述炉体间设有预留空间。