[发明专利]晶圆顶针及其形成方法

说明书

本发明提供一种晶圆顶针及其形成方法，所术晶圆顶针用于支撑晶圆，所述晶圆顶针包括顶针本体和接触层，所述顶针本体包括支撑杆和位于所述支撑杆上的支撑头，所述接触层位于所述顶针本体表面上，所述接触层为立方碳化硅层。本发明提供的晶圆顶针及其形成方法，晶圆顶针用于支撑进行外延生长的晶圆，晶圆顶针包括顶针本体和位于所述顶针本体表面上的接触层，所述接触层为立方碳化硅，使晶圆顶针具有较佳的表面粗糙度并且更佳耐磨和耐腐蚀，可适应于外延生长工艺的需要，并可在支撑装置中的升降过程中减少晶圆顶针产生的颗粒物，保证生产产品的品质。

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种晶圆顶针及其形成方法。

背景技术

在半导体制造工艺中，晶圆(Wafer)的制造对工艺要求非常高，整个工艺过程可分为许多个制程，每个制程都会涉及到晶圆的放置，通常是通过对应的支撑装置来满足各制程的需要。

当制程中需要对晶圆靠近支撑装置的一面进行工艺处理时，例如晶圆表面的外延生长，在现有技术中，通常会使用到晶圆顶针。如图1所示，具有晶圆顶针2的支撑装置1，通过晶圆顶针2支撑晶圆3，支撑装置1通过在晶圆顶针2的底部的升降结构使晶圆3实现上升与下降，从而可对晶圆3的支撑所在面进行工艺处理。但是，现有技术的晶圆顶针容易引发颗粒物问题，在晶圆顶针在支撑台中上升与下降过程中由于相互摩擦会产生颗粒物，这些颗粒物可能会影响工艺处理中的晶圆。

因此，如何提供一种减少颗粒物产生的晶圆顶针是本领域技术人员亟待解决的一个技术问题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种晶圆顶针及其形成方法，解决晶圆顶针产生颗粒物的问题。

为了解决上述问题，本发明提供一种晶圆顶针，所术晶圆顶针用于支撑晶圆，所述晶圆顶针包括顶针本体和接触层，所述顶针本体包括支撑杆和位于所述支撑杆上的支撑头，所述接触层位于所述顶针本体表面上，所述接触层为立方碳化硅层。

可选的，在所述晶圆顶针中，所述接触层的表面粗糙度在0.5um以下。

可选的，在所述晶圆顶针中，所述顶针本体的材料为单晶硅。

可选的，在所述晶圆顶针中，所述顶针本体的表层形成有硅化物层。

可选的，在所述晶圆顶针中，所述支撑杆上具有沟槽。

可选的，在所述晶圆顶针中，所述支撑头的投影面积大于所述支撑杆的投影面积，所述支撑头远离所述支撑杆的一侧为球面。

可选的，在所述晶圆顶针中，所述顶针本体为一体成型结构。

可选的，在所述晶圆顶针中，所述晶圆顶针用于化学气相沉积腔体中或原子层沉积腔体中，所述晶圆顶针的数量为多个。

本发明还提供一种晶圆顶针的形成方法，包括：

提供一顶针本体；

通过沉积工艺在所述顶针本体上形成立方碳化硅层，所述沉积工艺采用的材料包括三氯氢硅、丙烷和氢气。

可选的，在所述晶圆顶针的形成方法中，所述沉积工艺的工艺条件为：0.05Torr～1Torr，1000℃～1200℃。

本发明提供的晶圆顶针及其形成方法，晶圆顶针用于支撑晶圆，晶圆顶针包括顶针本体和位于所述顶针本体表面上的接触层，所述接触层为立方碳化硅，使晶圆顶针具有较佳的表面粗糙度并且更佳耐磨和耐腐蚀，可适应于外延生长工艺的需要，并可在支撑装置中的升降过程中减少晶圆顶针产生的颗粒物，保证生产产品的品质。

附图说明

图1为现有技术中具有晶圆顶针的支撑装置的结构剖视图；

图2为本发明实施例的晶圆顶针的结构示意图；