[发明专利]晶圆顶针及其形成方法在审
| 申请号： | 201710525497.2 | 申请日： | 2017-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN109216254A | 公开（公告）日： | 2019-01-15 |
| 发明（设计）人： | 三重野文健 | 申请（专利权）人： | 上海新昇半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/687 | 分类号： | H01L21/687 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 余昌昊 |
| 地址： | 201306 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 圆顶针 顶针 接触层 立方碳化硅 支撑杆 晶圆 外延生长工艺 表面粗糙度 生产产品 升降过程 外延生长 支撑装置 颗粒物 耐腐蚀 支撑头 耐磨 支撑 种晶 保证 | ||
1.一种晶圆顶针，所述晶圆顶针用于支撑晶圆，其特征在于，所述晶圆顶针包括：
顶针本体，所述顶针本体包括支撑杆和位于所述支撑杆上的支撑头；
接触层，所述接触层位于所述顶针本体表面上，所述接触层为立方碳化硅层。
2.如权利要求1所述的晶圆顶针，其特征在于，所述接触层的表面粗糙度在0.5um以下。
3.如权利要求1所述的晶圆顶针，其特征在于，所述顶针本体的材料为单晶硅。
4.如权利要求3所述的晶圆顶针，其特征在于，所述顶针本体的表层形成有硅化物层。
5.如权利要求1-4中任意一项所述的晶圆顶针，其特征在于，所述支撑头的投影面积大于所述支撑杆的投影面积，所述支撑头远离所述支撑杆的一侧为球面。
6.如权利要求1-4中任意一项所述的晶圆顶针，其特征在于，所述支撑杆上具有沟槽。
7.如权利要求1-4中任意一项所述的晶圆顶针，其特征在于，所述顶针本体为一体成型结构。
8.如权利要求1-4中任意一项所述的晶圆顶针，其特征在于，所述晶圆顶针用于化学气相沉积腔体中或原子层沉积腔体中，所述晶圆顶针的数量为多个。
9.一种晶圆顶针的形成方法，其特征在于，所述晶圆顶针的形成方法包括：
提供一顶针本体；
通过沉积工艺在所述顶针本体上形成立方碳化硅层，所述沉积工艺采用的材料包括三氯氢硅、丙烷和氢气。
10.如权利要求9所述晶圆顶针的形成方法，其特征在于，所述沉积工艺的工艺条件为：0.05Torr～1Torr，1000℃～1200℃。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
