[发明专利]上电复位电路及具有该上电复位电路的半导体存储器装置

说明书

本发明提供一种上电复位电路以及具有该上电复位电路的半导体存储器装置。上电复位电路可以包括：参考电压生成电路，其被配置为使用外部输入的外部供给电压来生成参考电压；以及上电复位信号生成电路，其被配置为当外部供给电压增加到设定电平或以上时，通过感测参考电压的电位水平来生成上电复位信号。上电复位信号生成电路可以被配置为当参考电压基于温度变化而改变时控制感测电平以补偿参考电压的改变。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2016年11月24日提交的申请号为10-2016-0157409的韩国专利申请的优先权，其全部公开内容通过引用并入本文。

技术领域

本公开的各个实施例总体涉及一种电子装置，并且更特别地，涉及一种上电复位电路以及具有该上电复位电路的半导体存储器装置。

背景技术

半导体存储器装置是使用诸如硅(Si)、锗(Ge)、砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)等半导体实现的存储器装置。半导体存储器装置被分类为易失性存储器装置和非易失性存储器装置。

易失性存储器装置是当电源关闭时存储在其中的数据丢失的存储器装置。易失性存储器装置的代表性示例可以包括静态RAM(SRAM)、动态RAM(DRAM)和同步DRAM(SDRAM)。非易失性存储器装置是即使当电源关闭时存储在其中的数据也被保留的存储器装置。非易失性存储器装置的代表性示例可以包括只读存储器(ROM)、可编程ROM(PROM)、电可编程ROM(EPROM)、电可擦除可编程ROM(EEPROM)、闪速存储器、相变随机存取存储器(PRAM)、磁性RAM(MRAM)、电阻式RAM(RRAM)和铁电RAM(FRAM)。闪速存储器可以被分类为NOR型存储器和NAND型存储器。

半导体存储器装置配备有用于生成上电复位信号(POR)的上电复位电路。当外部输入的外部供给电压被激活时，上电复位信号被生成，并且内部电路被初始化，从而防止半导体存储器装置发生故障。

发明内容

本公开的各个实施例涉及一种能够执行稳定的上电复位操作的上电复位电路以及具有该上电复位电路的半导体存储器装置。

本公开的实施例可以提供上电复位电路。上电复位电路可以包括：参考电压生成电路，其被配置为基于外部供给电压生成参考电压；以及上电复位信号生成电路，其被配置为当外部供给电压增加到设定电平或以上时，通过感测参考电压的电位水平来生成上电复位信号，其中当参考电压基于温度变化而改变时，上电复位信号生成电路控制感测电平以补偿参考电压的改变。

本公开的实施例可以提供半导体存储器装置。半导体存储器装置可以包括：存储器单元阵列，其包括多个存储器单元；内部电路，其被配置为对存储器单元阵列执行编程操作、读取操作或擦除操作，并且响应于上电复位信号执行初始化操作；以及上电复位电路，其被配置为基于外部供给电压生成上电复位信号，其中上电复位电路基于温度变化通过控制感测电平来生成上电复位信号。

附图说明

图1是示出根据本公开的实施例的半导体存储器装置的框图。

图2是示出根据本公开的实施例的上电复位电路的详细电路图。

图3是示出根据本公开的实施例的上电复位电路的详细电路图。

图4是示出根据本公开的实施例的上电复位电路的详细电路图。

图5是示出包括图1的半导体存储器装置的存储器系统的图。

图6是示出图5的存储器系统的示例的图。

图7是示出包括参照图6描述的存储器系统的计算系统的图。

具体实施方式