[发明专利]上电复位电路及具有该上电复位电路的半导体存储器装置

权利要求书

1.一种上电复位电路，其包括：

参考电压生成电路，其被配置为基于外部供给电压生成参考电压；以及

上电复位信号生成电路，其被配置为当所述外部供给电压增加到设定电平或以上时，通过感测所述参考电压的电位水平来生成上电复位信号，

其中当所述参考电压基于温度变化而改变时，所述上电复位信号生成电路控制感测电平以补偿所述参考电压的改变，

其中所述上电复位信号生成电路包括感测电路，其被配置为通过感测所述参考电压的电位水平来控制内部节点的电位水平；

其中所述感测电路包括PMOS晶体管和NMOS晶体管，所述PMOS晶体管和所述NMOS晶体管在所述外部供给电压和所述感测电路的感测参考电压的感测参考节点之间串联联接在所述内部节点处，并且

其中所述PMOS晶体管和所述NMOS晶体管被配置为基于所述参考电压来控制所述内部节点的电位水平。

2.根据权利要求1所述的上电复位电路，其中所述参考电压生成电路基于所述温度变化来改变所述参考电压。

3.根据权利要求2所述的上电复位电路，

其中所述参考电压生成电路包括分配所述外部供给电压的电阻器，并且

其中所述电阻器具有基于所述温度变化而变化的电阻值。

4.根据权利要求1所述的上电复位电路，其中所述上电复位信号生成电路进一步包括：

缓冲器，其被配置为通过缓冲所述内部节点的电位水平来生成所述上电复位信号；以及

感测参考电压控制电路，其被配置为基于所述温度变化通过控制所述感测参考电压来控制所述感测电路的感测电平。

5.根据权利要求4所述的上电复位电路，

其中所述感测参考电压控制电路包括联接在所述感测参考节点与接地电压之间的电阻器部件，

其中所述电阻器部件具有基于所述温度变化而变化的电阻值，从而基于所述温度变化来控制所述感测参考电压。

6.根据权利要求4所述的上电复位电路，其中所述感测参考电压控制电路包括：

电阻器部件，其联接在所述感测参考节点和接地电压之间；

第一开关，其联接在所述外部供给电压和所述感测参考节点之间；以及

第二开关，其联接在所述接地电压和所述感测参考节点之间。

7.根据权利要求6所述的上电复位电路，其中所述电阻器部件具有基于所述温度变化而变化的电阻值，从而基于所述温度变化来控制所述感测参考电压。

8.根据权利要求6所述的上电复位电路，

其中所述第一开关响应于所述上电复位信号通过将所述外部供给电压施加到所述感测参考节点来控制所述感测参考节点的电位水平，并且

其中所述第二开关响应于所述上电复位信号的反相信号通过将所述接地电压施加到所述感测参考节点来控制所述感测参考节点的电位水平。