[发明专利]一种氯化线型低密度聚乙烯合成工艺

权利要求书

1.一种氯化线型低密度聚乙烯的合成工艺，其特征在于，制备所述氯化线型低密度聚乙烯的原料由以下配比的各组分组成：线型低密度聚乙烯粉料1重量份，工艺水6-15重量份，乳化剂0.01-0.05重量份，分散剂A 0.05-0.1重量份，分散剂B 0.05-0.1重量份，分散剂C 0.05-0.1重量份，防粘剂0.05-0.1重量份，引发剂A 0.001-0.01重量份，引发剂B 0.001-0.01重量份，氯气1-1.4重量份，其中分散剂A为十二烷基苯磺酸钠，分散剂B为有机硅处理的超细白炭黑，分散剂C为硅溶胶；

所述合成工艺包含以下步骤：

步骤1：按比例准备原料，将所述工艺水投入反应釜，开启搅拌，先投入所述乳化剂、所述分散剂A、所述分散剂B、所述分散剂C，再投入所述线型低密度聚乙烯粉料，待所述反应釜中的混合物被搅拌为悬浮液后升温至70-90℃，加入所述引发剂A和所述引发剂B；

步骤2：密闭所述反应釜，继续搅拌升温至120-135℃，其中，随温度升高从所述反应釜底部分段通入所述氯气进行反应，其中在温度为70～100℃时，进行低温通氯，通入氯气总量的40％，在温度为100～120℃时进行中温通氯，通入氯气总量的25％，在温度为120～135℃时进行高温恒温通氯，通入氯气总量的35％，恒温通氯保持30-40min，其中最高反应温度设置为比线型低密度聚乙烯粉料的熔程上限高2-3℃；

步骤3：待反应结束后，降温、清除残余氯气、并对所得物料进行后处理。

2.根据权利要求1所述的氯化线型低密度聚乙烯的合成工艺，其特征在于，所述线型低密度聚乙烯粉料的熔程为120-132℃，熔体指数为0.1-10g/10min。

3.根据权利要求1所述的氯化线型低密度聚乙烯的合成工艺，其特征在于，所述清除残余氯气包含先将残余氯气排入尾气吸收系统，再向所述反应釜内通入压缩空气以置换所述反应釜内的所述残余氯气和氯化氢气体。

4.根据权利要求1所述的氯化线型低密度聚乙烯的合成工艺，其特征在于，所述后处理包含将所述物料加碱中和、水洗脱碱、离心、加入防粘剂、干燥以及包装。

5.根据权利要求1所述的氯化线型低密度聚乙烯的合成工艺，其特征在于，所述合成工艺使用光引发或热引发。

6.根据权利要求1所述的氯化线型低密度聚乙烯的合成工艺，其特征在于，所述合成工艺采用三叶后掠式搅拌方式进行搅拌，搅拌转速为150r/min。

7.根据权利要求1所述的氯化线型低密度聚乙烯的合成工艺，其特征在于，所述反应釜为搪瓷反应釜，并且所述反应釜内设置有下翅型挡板。

8.根据权利要求1所述的氯化线型低密度聚乙烯的合成工艺，其特征在于，所述反应釜内压力低于0.35MPa。