[发明专利]半导体器件芯片的制造方法

说明书

提供半导体器件芯片的制造方法，具有：器件形成步骤，在由硅构成的晶片的正面上，在由互相交叉的多条分割预定线划分出的多个区域内分别形成器件；缺陷防止层形成步骤，在晶片的正面的分割预定线的各交叉点形成缺陷防止层；保护带粘贴步骤，在晶片的正面上粘贴保护带；改质层形成步骤，将对于晶片具有透过性的波长的激光束的聚光点定位在晶片内部而从晶片的背面侧沿着分割预定线照射激光束，沿着分割预定线在晶片的内部形成改质层；以及分割步骤，一边对晶片的背面进行磨削而使晶片薄化，一边以改质层为断裂起点将晶片分割成各个半导体器件芯片，通过缺陷防止层来防止相邻的各个半导体器件芯片的角部彼此摩擦而产生缺陷。

技术领域

本发明涉及半导体器件芯片的制造方法，该半导体器件芯片是通过对由硅构成的半导体晶片进行分割而得到的。

背景技术

作为将由硅构成的半导体晶片分割成各个半导体器件芯片的方法，公知有如下的加工方法：将对于晶片具有透过性的波长的激光束的聚光点定位在晶片内部而从晶片的背面侧沿着分割预定线照射激光束，在晶片内部形成因多光子吸收而产生的改质层，之后，对晶片的背面侧进行磨削而使晶片薄化，并且以改质层为分割起点将晶片分割成各个半导体器件芯片(日本特许第3762409号公报)。该加工方法有时被称为SDBG(Stealth DicingBefore Grinding：磨削前隐形切割)。

在基于SDBG的加工方法中，由于以改质层为断裂起点通过磨削压力被分割成各个半导体器件芯片的芯片之间只存在因断裂产生的龟裂的微小的间隙，芯片彼此可能会摩擦，特别是芯片的角部彼此以点接触，所以存在容易产生缺陷等破损的问题。

这里，制造出半导体器件芯片的通常的硅晶片具有面方位为(100)的主表面。最近，当采用具有面方位为(110)主表面的硅晶片时，由于能够提高PMOSFET(PositiveMetal-Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor：正金属-氧化物半导体场效应晶体管)等的驱动电流，所以讨论了采用具有面方位为(110)的主表面的硅晶片。

在具有面方位为(110)的主表面的硅晶片中，根据晶体取向100以45度的角度形成分割预定线(45度品级晶片)。

并且，在具有面方位为(100)的主表面的硅晶片的011方向上形成有切口，在该晶片中，将分割预定线设定为从连接了晶片的面的中心与切口的线倾斜45度的晶片也具有使器件高速化/低消耗功率化的效果，作为45度品级晶片而被采用。

专利文献1：日本特许第3762409号公报

专利文献2：日本特开2009-076731号公报

在采用了SDBG的半导体器件芯片的制造方法中，如上述那样芯片的角部彼此容易产生缺陷等破损，特别是在分割预定线根据晶体取向100倾斜45度而延伸的45度品级晶片的情况下，存在从角部产生的龟裂容易朝向器件伸长的课题。

发明内容

本发明是鉴于这样的点而完成的，其目的在于，提供半导体器件芯片的制造方法，在将硅晶片分割成各个半导体器件芯片之后，即使器件芯片彼此接触，也能够防止在角部产生缺陷。

根据本发明，提供半导体器件芯片的制造方法，该半导体器件芯片的制造方法的特征在于，具有如下的步骤：器件形成步骤，在由硅构成的晶片的正面上，在由互相交叉的多条分割预定线划分出的多个区域内分别形成器件；缺陷防止层形成步骤，在晶片的正面的该分割预定线的各交叉点形成缺陷防止层；保护带粘贴步骤，在实施了该器件形成步骤和该缺陷防止层形成步骤之后，在晶片的正面上粘贴保护带；改质层形成步骤，在实施了该保护带粘贴步骤之后，将对于晶片具有透过性的波长的激光束的聚光点定位在晶片内部而从晶片的背面侧沿着该分割预定线照射激光束，沿着该分割预定线在晶片的内部形成改质层；以及分割步骤，在实施了该改质层形成步骤之后，一边对晶片的背面进行磨削而使晶片薄化，一边以该改质层为断裂起点将晶片分割成各个半导体器件芯片，通过该缺陷防止层来防止相邻的各个半导体器件芯片的角部彼此摩擦而产生缺陷。