[发明专利]半导体器件芯片的制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件芯片的制造方法，其特征在于，

该半导体器件芯片的制造方法具有如下的步骤：

器件形成步骤，在由硅构成的晶片的正面上，在由互相交叉的多条分割预定线划分出的多个区域内分别形成器件；

缺陷防止层形成步骤，在晶片的正面的该分割预定线的各交叉点形成缺陷防止层；

保护带粘贴步骤，在实施了该器件形成步骤和该缺陷防止层形成步骤之后，在晶片的正面上粘贴保护带；

改质层形成步骤，在实施了该保护带粘贴步骤之后，将对于晶片具有透过性的波长的激光束的聚光点定位在晶片内部而从晶片的背面侧沿着该分割预定线照射激光束，沿着该分割预定线在晶片的内部形成改质层；以及

分割步骤，在实施了该改质层形成步骤之后，一边对晶片的背面进行磨削而使晶片薄化，一边以该改质层为断裂起点将晶片分割成各个半导体器件芯片，

该多条分割预定线形成为相对于晶片的切口或定向平面所示出的晶体取向倾斜，

通过该缺陷防止层来防止相邻的各个半导体器件芯片的角部彼此摩擦而产生缺陷。

2.根据权利要求1所述的半导体器件芯片的制造方法，其中，

该缺陷防止层从由金属膜、氮化膜、类金刚石膜和钝化膜构成的组中选择。