[发明专利]一种柔性背板的制作方法、液晶显示面板以及OLED显示面板有效
申请号: | 201710511539.7 | 申请日: | 2017-06-28 |
公开(公告)号: | CN107359177B | 公开(公告)日: | 2020-03-31 |
发明(设计)人: | 王国超 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/50;H01L51/52;H01L51/56;H01L51/00 |
代理公司: | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人: | 钟子敏 |
地址: | 430000 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 柔性 背板 制作方法 液晶显示 面板 以及 oled 显示 | ||
1.一种柔性背板的制作方法,所述柔性背板包括多个像素区、所述多个像素区之间的隔离区以及绑定区,其特征在于,包括:
提供一基板;
在所述基板上依次制作缓冲层、有源层、栅极绝缘层;
在所述栅极绝缘层上对应所述像素区制作栅极,以及对应所述隔离区制作刻蚀阻挡层;
在所述栅极和所述刻蚀阻挡层上制作第二绝缘层;
在所述第二绝缘层上采用第一次刻蚀工艺在所述隔离区制作第一过孔以及在所述绑定区制作第二过孔;其中,所述第一过孔的孔底位于所述刻蚀阻挡层,所述第二过孔的孔底位于所述基板;
采用第二次刻蚀工艺将所述刻蚀阻挡层去除;
采用第三次刻蚀工艺对所述第一过孔继续刻蚀,以使所述第一过孔的孔底达到所述缓冲层或所述基板;
其中,所述第一次刻蚀工艺和所述第三次刻蚀工艺为干法刻蚀,所述第一次刻蚀工艺和所述第三次刻蚀工艺所采用的气体不同;
在所述第二绝缘层上涂覆有机材料,且所述有机材料填充于所述第一过孔以及所述第二过孔中,形成有机填充层;
在所述有机填充层上制作源极和漏极;其中,所述源极连接所述有源层的源极区域,所述漏极连接所述有源层的漏极区域。
2.根据权利要求1所述的制作方法,其特征在于,
所述刻蚀阻挡层的宽度小于所述隔离区的宽度。
3.根据权利要求1所述的制作方法,其特征在于,
所述在所述栅极绝缘层上对应所述像素区制作栅极,以及对应所述隔离区制作刻蚀阻挡层,包括:
在所述栅极绝缘层上制作第一金属层,并对所述第一金属层进行图案化处理,以在所述像素区形成栅极,在所述隔离区形成刻蚀阻挡层。
4.根据权利要求1所述的制作方法,其特征在于,
所述在所述基板上依次制作缓冲层、有源层、栅极绝缘层,包括:
在所述基板上制作缓冲层;
在所述缓冲层上制作有源层,并对所述有源层进行掺杂,以在所述有源层上形成源极区域和漏极区域;
在所述有源层上制作栅极绝缘层。
5.根据权利要求4所述的制作方法,其特征在于,
所述在所述有机填充层上制作源极和漏极,包括:
采用第四次刻蚀工艺在所述有机填充层上制作第三过孔以及第四过孔;其中,所述第三过孔使所述有源层中的源极区域裸露,所述第四过孔使所述有源层中的漏极区域裸露;
在所述有机填充层上形成第二金属层,并对所述第二金属层进行图案化处理,以形成源极和漏极;其中,所述源极通过所述第三过孔连接所述源极区域,所述漏极通过所述第四过孔连接所述漏极区域。
6.根据权利要求1所述的制作方法,其特征在于,还包括:
在所述源极和所述漏极上制作平坦层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的