[发明专利]异质结双极型晶体管

说明书

本发明提供一种异质结双极型晶体管，能够维持控制稳定性同时降低基极‑集电极间电容的集电极电压依存性。所述异质结双极型晶体管(HBT)具备：具有对置的第一主面和第二主面的半导体基板、依次层叠于半导体基板的第一主面侧的集电极层、基极层、以及发射极层，集电极层包括分散有多个金属原子耦合而形成的金属微粒的第一半导体层。

技术领域

本发明涉及异质结双极型晶体管。

背景技术

在便携式电话等移动体通信机中，为了放大向基站发送的无线频率(RF：RadioFrequency)信号的功率，广泛使用异质结双极型晶体管(HBT：Heterojunction BipolarTransistor)。HBT中，在高频的RF信号的放大时，基极-集电极间电容对应于集电极电压的变动而变动，从而有时失真特性恶化。因此，为了改善失真特性，要求相对于集电极电压的变动而基极-集电极间电容的变动较小(即，基极-集电极间电容的集电极电压依存性较低)。例如，专利文献1中公开了一种通过研究集电极层的掺杂分布来降低基极-集电极间电容的集电极电压依存性的HBT。

专利文献1：国际公开第2015/005037号

专利文献1所公开的HBT中，由于根据复杂的掺杂分布来形成集电极层，所以集电极层的制造时的掺杂工序变得复杂，从而有缺乏控制稳定性、量产时成品率降低的问题。

发明内容

本发明是鉴于这样的事情而完成的，其目的在于提供维持控制稳定性、同时降低基极-集电极间电容的集电极电压依存性的HBT。

为了实现这样的目的，本发明的一个方案的HBT具备：具有对置的第一主面和第二主面的半导体基板、依次层叠于半导体基板的第一主面侧的集电极层、基极层、以及发射极层，集电极层包括第一半导体层，在该第一半导体层分散有多个金属原子耦合而形成的金属微粒。

根据本发明，能够提供维持控制稳定性、同时降低基极-集电极间电容的集电极电压依存性的HBT。

附图说明

图1是本发明的第一实施方式的HBT100A的剖视图。

图2A是使用了普通的HBT的功率放大电路的电路图的一个例子。

图2B是示出普通的HBT的集电极电压Vc与集电极电流Ic的关系的曲线图。

图2C是示出普通的HBT的集电极层中的耗尽层扩展的形态的示意图。

图3是示出普通的HBT的基极-集电极间电压Vbc与基极-集电极间电容Cbc的关系的模拟结果的曲线图。

图4A是分散有As微粒的GaAs的透射式电子显微镜照片。

图4B是分散有As微粒的GaAs的透射式电子显微镜照片的放大图。

图5A是一个As微粒以及其周边区域的示意图。

图5B是多个As微粒以及其周边区域的示意图。

图6是本发明的第一实施方式的变形例的HBT100B的剖视图。

图7是本发明的第一实施方式的其它变形例的HBT100C的剖视图。

图8是本发明的第一实施方式的其它变形例的HBT100D的局部剖视图。

图9A是示出本发明的第一实施方式的其它变形例的HBT100C的制造方法的顺序的图。

图9B是示出本发明的第一实施方式的其它变形例的HBT100C的制造方法的顺序的图。

图9C是示出本发明的第一实施方式的其它变形例的HBT100C的制造方法的顺序的图。