[发明专利]异质结双极型晶体管有效
| 申请号： | 201710506882.2 | 申请日： | 2017-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN107706236B | 公开（公告）日： | 2021-04-27 |
| 发明（设计）人： | 大部功;梅本康成;吉田茂;柴田雅博 | 申请（专利权）人： | 株式会社村田制作所 |
| 主分类号： | H01L29/737 | 分类号： | H01L29/737;H01L29/08 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 舒艳君;李洋 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 异质结双极型 晶体管 | ||
1.一种异质结双极型晶体管，其具备：
具有对置的第一主面和第二主面的半导体基板、依次层叠于上述半导体基板的上述第一主面侧的集电极层、基极层、以及发射极层，
上述集电极层包括第一半导体层，在该第一半导体层分散有多个金属原子耦合而形成的金属微粒。
2.根据权利要求1所述的异质结双极型晶体管，其中，
上述集电极层在上述第一半导体层与上述基极层之间还包括第二半导体层，
上述第二半导体层包含GaAs作为主成分。
3.根据权利要求1或2所述的异质结双极型晶体管，其中，
上述集电极层在上述第一半导体层与上述基极层之间还包括第三半导体层，
上述第三半导体层包含AlGaAs作为主成分。
4.根据权利要求1或2所述的异质结双极型晶体管，其中，
上述异质结双极型晶体管在上述半导体基板的上述第二主面侧还具备集电极电极。
5.根据权利要求4所述的异质结双极型晶体管，其中，
上述异质结双极型晶体管在上述半导体基板与上述集电极层之间还具备子集电极层，
上述子集电极层形成为与邻接于上述异质结双极型晶体管形成的其它异质结双极型晶体管所具备的子集电极层分离，
上述其它异质结双极型晶体管在上述集电极层上具备依次层叠于上述半导体基板的上述第一主面侧的基极层以及发射极层。
6.根据权利要求5所述的异质结双极型晶体管，其中，
上述半导体基板包括从上述第一主面贯通至上述第二主面的贯通部，
上述集电极电极通过形成在上述半导体基板的上述贯通部的内部来与上述异质结双极型晶体管的上述子集电极层接触。
7.根据权利要求1或2所述的异质结双极型晶体管，其中，
上述金属微粒包含As作为主成分。
8.根据权利要求1或2所述的异质结双极型晶体管，其中，
上述第一半导体层包含GaAs作为主成分。
9.根据权利要求1或2所述的异质结双极型晶体管，其中，
上述发射极层包含InGaP或者AlGaAs中任一方作为主成分。
10.根据权利要求1或2所述的异质结双极型晶体管，其中，
上述基极层包含GaAs、InGaAs、或者GaAsSb中任一方作为主成分。
11.根据权利要求1或2所述的异质结双极型晶体管，其中，
上述半导体基板包含GaAs作为主成分。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社村田制作所，未经株式会社村田制作所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710506882.2/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
