[发明专利]一种Micro LED显示器件的制备方法

说明书

本发明公开了一种制备Micro LED显示器件的方法，能够实现不同量子点材料的同时转移，也可以通过制备不同的掩模板，实现不同量子点材料的转移，有效地避免了不同量子点材料之间的相互影响，操作简单、转移效率高，易于实现大批量快速生产，提高了高分辨彩色化显示质量，在新型复合显示技术领域具有重要的实用价值。

技术领域

本发明涉及LED显示器领域，特别涉及一种Micro LED显示器件的制备方法。

背景技术

Micro LED为微型化LED阵列结构，具有自发光显示特性，其技术优势包括全固态、长寿命、高亮度、低功耗、体积较小、超高分辨率、可应用于高温或辐射等极端环境。相较于同为自发光显示的OLED技术，Micro LED不仅效率较高、寿命较长，材料不易受到环境影响而相对稳定，也能避免产生残影现象等。

目前Micro LED显示方式通常是单色显示，Micro LED显示的彩色化是其进一步拓展应用的关键技术，RGB三色LED法是其实现彩色化的重要技术方向之一。RGB三色LED法全彩显示主要是基于三原色(红、绿、蓝)调色基本原理，具体实施方法：分别对红色-LED、绿色-LED、蓝色-LED，施以不同的电流即可控制其亮度值，从而实现三原色的组合，达到全彩色显示的效果，这是目前LED大屏幕所普遍采用的方法。这种LED大屏幕全彩色显示组合方式直接应用于微矩阵LED显示屏还存在许多问题，例如：Micro LED的RGB三色法需要红绿蓝三个芯片，增加了工艺工序和技术上的难度，使得成品率降低，生产成本增加。使用蓝光Micro LED搭配红色和绿色发光介质的技术。其中涂覆荧光粉的方法存在许多问题，如：荧光粉涂层将会吸收部分能量，降低了转化率。

量子点显示是目前备受关注的新型显示技术。量子点(Quantum Dot，QD)作为一种新兴的半导体纳米晶材料，具有量子效率高、光谱精确可调、半峰宽窄、色域广等优点，应用于显示可显著提高显示色域范围，并同时降低显示功耗等。量子点在显示技术领域的应用主要包括两个方面：基于量子点电致发光特性的量子点发光二极管显示技术(QuantumDots Light Emitting Diode Displays，QLED)；基于量子点光致发光特性的量子点背光源技术(Quantum Dots-Backlight Unit，QD-BLU)。而量子点电致发光QLED存在的主要问题是缺乏稳定高效的蓝光材料。

利用Micro LED和QLED各自的优势，基于量子点光致发光的特性，采用蓝光MicroLED与绿光量子点、红光量子点结合是实现Micro LED显示彩色化的重要技术方向。目前一般采用旋转涂布或雾状喷涂技术将量子点直接涂覆在UV/蓝光LED上，使其受激发出RGB三色光，再通过色彩配比实现全彩色化。由于Micro LED经过加工后表面并非平整均一，直接在Micro LED涂覆量子点，难以实现涂覆膜的精度或均匀性，喷涂设备中喷头尺寸较大，涂覆的像素点尺寸偏大，难以实现量子点高密度涂覆或高分辨率显示，涂覆的量子点均匀性差，喷涂时会出现较多的缺陷，同时各色量子点颜色相互影响，使得彩色化质量显著下降。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是提供一种能够均匀涂覆、涂覆精度高、易于控制减少各色量子点颜色相互影响的Micro LED显示器件的制备方法。

本发明所采取的技术方案是：

一种Micro LED显示器件的制备方法，包括在基板上制备多个Micro LED芯片的步骤，还包括以下步骤：

制备或取一基材，所述基材包括衬底和覆于所述衬底上的吸热材料层；

在所述吸热材料层上涂覆量子点材料；

将所述基材放置于所述Micro LED芯片上方，且所述量子点材料朝向所述MicroLED芯片；