[发明专利]一种Micro LED显示器件的制备方法

权利要求书

1.一种Micro LED显示器件的制备方法，包括在基板上制备多个Micro LED芯片的步骤，其特征在于，还包括以下步骤：

制备或取一基材，所述基材包括衬底和覆于所述衬底上的吸热材料层；

在所述吸热材料层上涂覆量子点材料；

将所述基材放置于所述Micro LED芯片上方，且所述量子点材料朝向所述Micro LED芯片；

采用激光束阵列照射所述基材，各束所述激光束分别与部分或全部所述Micro LED芯片一一对应，所述吸热材料层在激光照射下发生形变，将所述量子点材料转移至所述MicroLED芯片的上表面。

2.根据权利要求1所述的Micro LED显示器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

制备或取一基材一，所述基材一包括衬底一和覆于所述衬底一上的吸热材料层一；

在所述吸热材料层一上涂覆量子点材料一；

将所述基材一放置于所述Micro LED芯片上方，且所述量子点材料一朝向所述MicroLED芯片；

采用激光束阵列一照射所述基材一，所述激光束阵列一分别与一部分所述Micro LED芯片一一对应，所述吸热材料层一在激光照射下发生形变，将所述量子点材料一转移至这部分所述Micro LED芯片的上表面；

再制备或取一基材二，所述基材二包括衬底二和覆于所述衬底二上的吸热材料层二；

在所述吸热材料层二上涂覆量子点材料二；

将所述基材二放置于所述Micro LED芯片上方，且所述量子点材料二朝向所述MicroLED芯片；

采用激光束阵列二照射所述基材二，所述激光束阵列二分别与另一部分所述MicroLED芯片一一对应，所述吸热材料层二在激光照射下发生形变，将所述量子点材料二转移至这部分所述Micro LED芯片的上表面。

3.根据权利要求2所述的Micro LED显示器件的制备方法，其特征在于，所述量子点材料是通过喷墨打印、浸蘸、涂布、覆膜或激光打印中任一种工艺涂覆于所述吸热材料上的。

4.根据权利要求2所述的Micro LED显示器件的制备方法，其特征在于，所述量子点材料是通过旋涂工艺涂覆于所述吸热材料上的。

5.根据权利要求1所述的Micro LED显示器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

制备或取一基材，所述基材包括衬底和覆于所述衬底上的吸热材料层；

在所述吸热材料层上涂覆离散的量子点材料一和量子点材料二，所述量子点材料一与一部分所述Micro LED芯片一一对应；所述量子点材料二与另一部分所述Micro LED芯片一一对应；

采用激光束阵列照射所述基材，各束所述激光束分别与部分或全部所述Micro LED芯片一一对应，所述吸热材料层在激光照射下发生形变，将所述量子点材料一和量子点材料二转移至所述Micro LED芯片的上表面。

6.根据权利要求5所述的Micro LED显示器件的制备方法，其特征在于，所述量子点材料是采用激光打印或喷墨打印工艺涂覆于所述吸热材料上的。

7.根据权利要求2-6任一项所述的Micro LED显示器件的制备方法，其特征在于，所述Micro LED芯片为蓝色Micro LED芯片，所述量子点材料一为红色量子点材料，所述量子点材料二为绿色量子点材料。

8.根据权利要求1-6任一项所述的Micro LED显示器件的制备方法，其特征在于，所述激光束阵列是由激光照射掩模板形成，所述掩模板包括不透光部分和透光部分，所述透光部分与部分或全部所述Micro LED芯片一一对应。

9.根据权利要求1-6任一项所述的Micro LED显示器件的制备方法，其特征在于，所述激光束阵列是通过光纤形成。