[发明专利]一种改善CIS器件白像素点的ISO版图结构

说明书

技术领域

本发明涉及半导体集成电路制造领域，且特别涉及一种改善CIS器件白像素点的ISO版图结构。

背景技术

伴随着移动互联网的飞速发展，人们对智能终端的需求愈来愈庞大，而有着智能终端“眼睛”之称的图像传感器也迎来了前所未有的发展空间。传统的CCD图像传感器由于其功耗较大，市场局限在高性能的数码相机中；CMOS图像传感器不仅功耗低，速率快，而且易于与现有的半导体工艺相兼容，生产成本较低，这使得CMOS图像传感器占据了图像传感器市场的半壁江山。

未来CMOS图像传感器发展的方向是高像素、低功耗、高像质。高像素和低功耗要求像素尺寸不断地缩小，然而随着像素尺寸的不断缩小，像素的质量却急剧下降，特别是量子效率和噪声。量子效率是指光电二极管将光子转变成为光生载流子的能力，它与光电二极管的结构密切相光，可以通过调整光电二极管的深度来弥补小尺寸像素量子效率低的问题。但是噪声的降低却非常的困难。表征像素噪声的一个重要参数是暗光下的白像素个数，白像素是指那些亮度相对于周围像素亮度异常偏高的像素点，暗光下白像素个数越多图像的质量就越差。

白像素主要来自于光电二极管中的金属污染或晶格缺陷。工艺上降低CMOS图像传感器白像素的主要方法是控制工艺过程中金属污染和晶格缺陷的引入，例如机台端的作业部件尽量选用不含金属元素的材质，晶圆尽量选用带外延层的硅片，等等。虽然这些措施能够减少白像素的个数，但是工艺过程控制非常困难，因为很低的金属离子污染浓度就能够引起白像素的急剧升高。

在制作55纳米UTS图像传感器工艺中，ISO层隔离效果对器件的性能影响很大。特别是无STI工艺，若ISO结构设计不合理，可能会导致器件间更容易产生漏电，造成较为严重的白像素。请参考图1，图1所示为现有技术中ISO结构示意图，一般的ISO工艺是2个手指结构10，主要用于隔绝同一组4个多晶硅发射极(TX Poly)20的左右两个，隔离效果有限。

发明内容

本发明提出一种改善CIS器件白像素点的ISO版图结构，能够进一步减少漏电，改善白像素性能。

为了达到上述目的，本发明提出一种改善CIS器件白像素点的ISO版图结构，包括：

四手指结构，对左右上下四个多晶硅发射极进行隔离；

四个发射极组间隔离，分别连接于所述四手指结构。

进一步的，所述四手指结构和四个发射极组间隔离采用电介质材料制成。

进一步的，所述四手指结构和四个发射极组间隔离采用氧化硅材料制成。

进一步的，所述四手指结构和四个发射极组间隔离结构采用B元素离子注入，其注入能量在10K～25KeV。

进一步的，所述四手指结构和四个发射极组间隔离结构的厚度为200nm。

进一步的，所述多晶硅发射极结构的间距为120nm。

本发明提出的改善CIS器件白像素点的ISO版图结构，针对ISO 2个手指结构隔离效果有限而可能影响白像素的问题，采用四手指结构用于隔离左右上下四个多晶硅发射极，同时增加四个发射极组间隔离，以进一步减少漏电，改善白像素性能。

附图说明

图1所示为现有技术中ISO结构示意图。

图2所示为本发明较佳实施例的改善CIS器件白像素点的ISO版图结构示意图。

具体实施方式

以下结合附图给出本发明的具体实施方式，但本发明不限于以下的实施方式。根据下面说明和权利要求书，本发明的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比率，仅用于方便、明晰地辅助说明本发明实施例的目的。

请参考图2，图2所示为本发明较佳实施例的改善CIS器件白像素点的ISO版图结构示意图。

本发明提出一种改善CIS器件白像素点的ISO版图结构，包括：

四手指结构100，对左右上下四个多晶硅发射极300进行隔离；

四个发射极组间隔离200，分别连接于所述四手指结构100。

根据本发明较佳实施例，所述四手指结构100和四个发射极组间隔离200采用电介质材料制成。进一步的，所述四手指结构100和四个发射极组间隔离200采用氧化硅材料制成。

所述四手指结构100和四个发射极组间隔离结构200采用B元素离子注入，其注入能量在10K～25KeV。

所述四手指结构100和四个发射极组间隔离结构200的厚度为200nm。

进一步的，所述多晶硅发射极结构的间距为120nm。