[发明专利]一种改善CIS器件白像素点的ISO版图结构在审
| 申请号： | 201710496392.9 | 申请日： | 2017-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN107195651A | 公开（公告）日： | 2017-09-22 |
| 发明（设计）人： | 孙赛;蒲甜松;曹亚民 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 | 代理人： | 智云 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 改善 cis 器件 像素 iso 版图 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种改善CIS器件白像素点的ISO版图结构，其特征在于，包括：
四手指结构，对左右上下四个多晶硅发射极进行隔离；
四个发射极组间隔离，分别连接于所述四手指结构。
2.根据权利要求1所述的改善CIS器件白像素点的ISO版图结构，其特征在于，所述四手指结构和四个发射极组间隔离采用电介质材料制成。
3.根据权利要求1所述的改善CIS器件白像素点的ISO版图结构，其特征在于，所述四手指结构和四个发射极组间隔离采用氧化硅材料制成。
4.根据权利要求1所述的改善CIS器件白像素点的ISO版图结构，其特征在于，所述四手指结构和四个发射极组间隔离结构采用B元素离子注入，其注入能量在10K～25KeV。
5.根据权利要求1所述的改善CIS器件白像素点的ISO版图结构，其特征在于，所述四手指结构和四个发射极组间隔离结构的厚度为200nm。
6.根据权利要求1所述的改善CIS器件白像素点的ISO版图结构，其特征在于，所述多晶硅发射极结构的间距为120nm。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
