[发明专利]单分流器倒相电路中的电力方形扁平无引线封装

说明书

本申请是申请日为2014年01月27日，申请号为201410039117.0，发明名称为“单分流器倒相电路中的电力方形扁平无引线封装”的申请的分案申请。

本申请要求序列号为61/774,484，申请日期为2013年3月7日，名称为“Power Quad Flat No-Lead(PQFN)Package in a Single Shunt Inverter Circuit”的临时申请的利益和优先权。本申请也是序列号为13/662,244，申请日期为2012年10月26日，并且名称为“Compact Wirebonded Power Quad Flat No-Lead(PQFN)Package”的部分继续申请，其依次要求序列号为13/034,519，申请日期为2011年2月24日，并且名称为“Multi-Chip Module(MCM)Power Quad Flat No-Lead(PQFN)Semiconductor Package Utilizing a Leadframe for Electrical Interconnections”的申请的优先权，其依次要求序列号为61/459,527，申请日期为2010年12月13日，并且名称为“Low Cost Leadframe Based High Power Density Full Bridge Power Device”的临时申请的优先权。本申请要求所有以上认定的申请的利益和优先权。而且，所有以上认定的申请的公开和内容据此通过引用完全并入本申请。

技术领域

本发明申请涉及单分流器倒相电路中的电力方形扁平无引线封装。

背景技术

正如这里所使用的，术语“III-V族”指代的是包括至少一种III族元素和至少一种V族元素的化合物半导体。例如，III-V族半导体可采用III-氮化物半导体的形式。“III-氮化物”或“III-N”，指的是包括氮和至少一种III族元素，诸如铝(Al)、镓(Ga)、铟(In)和硼(B)的化合物半导体并且包括但不限于其合金的任何一种，例如，诸如氮化铝镓(Al_xGa_(1-x)N)，氮化铟镓(In_yGa_(1-y)N)、氮化铝铟镓(Al_xIn_yGa_(1-x-y)N、氮磷砷化镓(GaAs_aP_bN_(1-a-b))、氮磷砷化铝铟镓(Al_xIn_yGa_(1-x-y)As_aP_bN_(1-a-b))。III-氮化物一般也指的是任何极性，包括但不限于Ga-极性、N-极性、半极性或非极性晶体方向。III-氮化物材料也可包括或者纤锌矿、闪锌矿或者混合多型体，并且可包括单晶、单晶体、多晶或无定形结构。于此使用的氮化镓或GaN，指的是III-氮化物化合物半导体，其中III族元素包括一些或大量的镓，但是也可包括除镓以外的其它III族元素。III-V族或GaN晶体管也可指的是复合高电压增强模式晶体管，其通过将III-V族或GaN晶体管串联连接低电压IV族晶体管形成。

而且，于此使用的术语“IV族”指的是包括至少一种IV族元素诸如硅(Si)、锗(Ge)和碳(C)的半导体，并且也可包括化合物半导体，例如，诸如锗化硅(SiGe)和碳化硅(SiC)。IV族也指的是包括超过一层的IV族元素或IV族元素的掺杂物以产生应变的IV族材料的半导体材料，并且也可包括基于IV族的复合衬底，例如，诸如绝缘体上的硅(SOI)，通过注入氧进行分离(SIMOX)工艺的衬底，及蓝宝石上的硅(SOS)。

组合几种半导体器件的封装可简化电路设计，减少成本并且通过使相关的和依赖的电路部件保持靠近，提供更高的效率和改善的性能。而且，与使用部件的独立封装相比，这些封装可促进应用集成和更好的电性能和热性能。

方形扁平无引线(QFN)封装是用于电气部件诸如电力半导体器件的无引线封装。QFN封装可使用引线框和键合线以连接容纳在其中的电气部件。QFN封装经常具有有限的复杂性且电气布线可具有挑战性，特别是对于更复杂的配置。这样，QFN封装经常具有简单的配置且容纳小数量的电气部件。

发明内容