[发明专利]单分流器倒相电路中的电力方形扁平无引线封装

权利要求书

1.一种电力方形扁平无引线PQFN封装，包括：

引线框；以及

驱动器集成电路IC，其位于所述引线框的驱动器IC管芯垫上，其中所述驱动器IC包括：

第一电平位移器，其配置成输出信号至第一选通驱动器以驱动所述PQFN封装的桥电路的高压侧电力晶体管；以及

第二电平位移器，其配置成输出信号至所述驱动器IC的第二选通驱动器以驱动所述PQFN封装的所述桥电路的低压侧电力晶体管。

2.根据权利要求1所述的PQFN封装，其中所述驱动器IC还包括输入逻辑，其耦合到所述第一电平位移器以控制所述第一电平位移器输出信号至所述第一选通驱动器以驱动所述PQFN封装的所述桥电路的所述高压侧电力晶体管，并且耦合到所述第二电平位移器以控制所述第二电平位移器输出信号至所述第二选通驱动器以驱动所述PQFN封装的所述桥电路的所述低压侧电力晶体管。

3.根据权利要求1所述的PQFN封装，其中所述驱动器IC还包括低电压保护电路，其配置成检测电源电压低电压条件以禁止所述桥电路的切换。

4.根据权利要求1所述的PQFN封装，其中所述驱动器IC还包括过电压保护电路，其配置成输出指示过电压条件的信号以禁止所述桥电路的切换。

5.根据权利要求4所述的PQFN封装，其中所述第一电平位移器被配置成以比所述第二电平位移器被配置成输出信号至所述第二选通驱动器的幅度更大的幅度输出信号至所述第一选通驱动器。

6.根据权利要求1所述的PQFN封装，其中所述高压侧电力晶体管对应于所述桥电路的U-相电力开关、V-相电力开关和W-相电力开关之一。

7.根据权利要求1所述的PQFN封装，其中所述低压侧电力晶体管对应于所述桥电路的U-相电力开关、V-相电力开关和W-相电力开关之一。

8.根据权利要求1所述的PQFN封装，其中所述高压侧电力晶体管和所述低压侧电力晶体管中的至少一个对应于快速反相外延二极管场效应晶体管(FREDFET)。

9.根据权利要求1所述的PQFN封装，其中所述高压侧电力晶体管和所述低压侧电力晶体管中的至少一个对应于绝缘栅双极型晶体管(IGBT)。

10.根据权利要求1所述的PQFN封装，其中所述高压侧电力晶体管和所述低压侧电力晶体管中的至少一个对应于III-V族晶体管。

11.一种电力方形扁平无引线PQFN封装，包括：

引线框；以及

U-相电力开关、V-相电力开关、W-相电力开关和驱动器集成电路IC，所述U-相电力开关、V-相电力开关、W-相电力开关和驱动器IC中的每一个位于所述引线框上，其中所述驱动器IC包括：

第一电平位移器，其配置成输出信号至第一选通驱动器以驱动所述U-相电力开关；

第二电平位移器，其配置成输出信号至第二选通驱动器以驱动所述V-相电力开关；以及

第三电平位移器，其配置成输出信号至第三选通驱动器以驱动所述W-相电力开关。

12.根据权利要求11所述的PQFN封装，其中所述U-相电力开关、所述V-相电力开关和所述W-相电力开关中的至少一个对应于所述PQFN封装的桥电路的高压侧电力开关。

13.根据权利要求11所述的PQFN封装，其中所述U-相电力开关、所述V-相电力开关和所述W-相电力开关中的至少一个对应于所述PQFN封装的桥电路的低压侧电力开关。

14.根据权利要求11所述的PQFN封装，其中所述U-相电力开关、所述V-相电力开关和所述W-相电力开关中的至少一个对应于所述PQFN封装的桥电路的低压侧电力开关，并且所述U-相电力开关、所述V-相电力开关和所述W-相电力开关中的至少一个对应于所述PQFN封装的所述桥电路的高压侧电力开关。

15.根据权利要求11所述的PQFN封装，其中所述驱动器IC还包括低电压保护电路，所述低电压保护电路配置成检测电源电压低电压条件以禁止包括所述U-相电力开关、所述V-相电力开关和所述W-相电力开关的所述PQFN封装的桥电路的切换。