[发明专利]基于不同高度铜柱的三维封装结构及其制造方法在审
| 申请号： | 201710487603.2 | 申请日： | 2017-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN107195617A | 公开（公告）日： | 2017-09-22 |
| 发明（设计）人： | 李恒甫 | 申请（专利权）人： | 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/538 | 分类号： | H01L23/538;H01L23/498;H01L21/60;H05K1/02;H05K1/18 |
| 代理公司： | 上海智晟知识产权代理事务所(特殊普通合伙)31313 | 代理人： | 张东梅 |
| 地址： | 214028 江苏省无锡市新区*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基于 不同 高度 三维 封装 结构 及其 制造 方法 | ||
1.一种基于不同高度铜柱的三维封装结构，包括：
封装基板；
位于封装基板第一表面的外接焊球；
至少两层位于封装基板内部和或表面的电路，及至少一层层间通孔；
位于封装基板第二表面的第一焊盘和第二焊盘；
位于第一焊盘上的第一铜柱，及位于第二焊盘上的第二铜柱；
连接于第一铜柱上的第一芯片焊接结构和第一芯片，及连接于第二铜柱上的第二芯片焊接结构和第二芯片；
其中，所述第二铜柱高于第一铜柱，第一芯片至少部分的位于第二芯片的焊接面与封装基板之间，从而使第一芯片和第二芯片在封装基板上形成三维封装结构。
2.如权利要求1所述的不同高度铜柱的三维封装结构，其特征在于，所述第二铜柱的高度不小于所述第一铜柱高度与所述第一芯片厚度以及所述第一芯片焊接结构高度之和。
3.如权利要求1所述的不同高度铜柱的三维封装结构，其特征在于，所述第一铜柱的高度为30微米至80微米。
4.如权利要求1所述的不同高度铜柱的三维封装结构，其特征在于，所述第二铜柱的高度为130微米至300微米。
5.如权利要求1所述的不同高度铜柱的三维封装结构，其特征在于，所述第一铜柱收纳在第一芯片的平面尺寸以内，所述第二铜柱收纳在第二芯片的平面尺寸以内，且位于第一芯片的平面尺寸以外。
6.一种制造基于不同高度铜柱的三维封装结构的方法，包括：
在封装基板的第一焊盘位置制作第一铜柱；
在封装基板的第二焊盘位置制作第二铜柱；
通过第一铜柱焊接第一芯片至封装基板；
通过第二铜柱焊接第二芯片至封装基板。
7.如权利要求6所述的方法，其特征在于，制作第一铜柱的步骤包括沉积电镀种子层、光刻形成第一铜柱电镀掩膜、电镀第一铜柱和去除第一铜柱电镀掩膜。
8.如权利要求6所述的方法，其特征在于，制作第二铜柱的步骤包括光刻形成第二铜柱电镀掩膜、电镀第二铜柱、去除第二铜柱电镀掩膜以及去除电镀种子层。
9.如权利要求8所述的方法，其特征在于，制作所述第二铜柱的电镀掩膜的方法为超厚负胶光刻、多次光刻，或LIGA技术。
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