[发明专利]电压供给电路以及半导体存储装置

说明书

技术领域

本发明涉及包含对电源电压进行升压的升压电路的电压供给电路以及半导体存储装置。

背景技术

NAND型闪速存储器等半导体存储装置使用比从外部供给的电源电压高的电压来进行数据的写入、擦除和读出。因此，在半导体存储装置中设置有具有对电源电压进行升压的升压电路的电压供给电路（例如，参照专利文献1）。该升压电路包含级联连接的多个MOS（Metal-Oxide-Semiconductor，金属氧化物半导体）型的晶体管、以及每一个的一端连接于晶体管彼此的连接节点（漏极端或源极端）的多个电容器。向级联连接的多个晶体管之中的最初级的晶体管的源极端施加电源电压，向各电容器的另一端供给时钟信号（或时钟信号的反相信号）。通过这样的结构，在升压电路中，根据时钟信号而各电容器进行充电并将其电压向晶体管彼此的连接节点施加，由此，对该连接节点的电压进行升压。因此，各晶体管将比前一级的晶体管向连接节点供给的电压高的电压向下一级的晶体管供给。通过这样的工作，从最终级的晶体管输出被升压为比电源电压高的电压的电压。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2008-305467号公报。

发明要解决的课题

可是，在NAND型闪速存储器中，基于由这样的升压电路升压后的电压来生成数据写入用的写入电压，将该写入电压向成为数据的写入对象的存储器单元施加，由此，写入数据。可是，由于制造上的偏差等，适当的写入电压的电压值按照每个存储器单元而不同。因此，在NAND型闪速存储器中，为了对写入电压的适当电压值不同的各存储器单元可靠地进行数据的写入，使写入电压的电压值阶段性地增加，利用具有按照该阶段的每一个而不同的电压值的写入电压进行数据的写入。

可是，在由上述的那样的升压电路生成的电压中产生其电压值在设定电压的附近进行振动的所谓的纹波。

因此，在写入电压中产生的纹波的振幅大的情况下，存在难以使写入电压的电压值以规定的电压幅度增加而不会正常地进行数据的写入的可能性。

发明内容

因此，本发明的目的在于提供能够生成抑制了纹波的振幅的电压的电压供给电路以及包含该电压供给电路的半导体存储装置。

用于解决课题的方案

本发明的电压供给电路是，一种电压供给电路，基于电源电压来生成输出电压并输出，具有：降压电路，对所述电源电压进行降压，生成具有比所述电源电压的电压值低的固定的电压值的降压电压；以及升压电路，对所述降压电压进行升压，生成具有比所述电源电压的电压值高的电压值的电压来作为所述输出电压。

此外，本发明的半导体存储装置是，一种半导体存储装置，包含：存储器单元阵列，包含多个存储器单元；存储器驱动部，在数据写入时将写入电压向所述存储器单元阵列供给；以及电压供给电路，基于电源电压来生成输出电压，将所述输出电压作为所述写入电压向所述存储器驱动部供给，所述电压供给电路具有：降压电路，对所述电源电压进行降压，生成具有比所述电源电压的电压值低的固定的电压值的降压电压；以及升压电路，对所述降压电压进行升压，生成具有比所述电源电压的电压值高的电压值的电压来作为所述输出电压。

发明效果

在本发明中，在生成电压值比从外部供给的电源电压高的电压时，暂时对电源电压进行降压来生成具有比该电源电压的电压值低的规定的电压值的降压电压。然后，升压电路通过对该降压电压进行升压来得到具有比电源电压的电压值高的规定的设定电压值的输出电压。

根据这样的结构，在升压电路中，具有比电源电压的电压值低的电压值的降压电压成为升压对象，因此，与将电源电压自身作为升压对象的情况相比，与输出电压对应的输出电流小。其结果是，抑制输出电流越大而越大这样的输出电压的纹波的振幅。

再有，在升压电路中，成为升压对象的电压越大，输出电流越大，相对地，在输出电压中产生的纹波的振幅也增加。因此，在本发明中的升压电路中，将具有如上述那样比电源电压的电压值低且不依赖于电源电压的电压值的固定的电压值的降压电压作为升压对象。因此，即使在电源电压为高电压的情况下，也能够使输出电流维持为与输出电压对应的固定的小电流。

因此，根据本发明，能够生成在不依赖于电源电压的电压值的情况下抑制了纹波的振幅的电压。

附图说明

图1是示出包含本发明的电压供给电路的半导体存储装置200的概略结构的一个例子的框图。

图2是示出电压供给电路10的结构的电路图。