[发明专利]MEMS器件及其制造方法、液体喷射头以及液体喷射装置

说明书

本发明提供一种能够抑制埋入配线中的碟形凹陷的MEMS器件及其制造方法、液体喷射头以及液体喷射装置。所述MEMS器件的特征在于，具备：配线(46)，其通过在于基板(33)的第一面开口的凹部(47)中埋入导电部(48)而形成；和凸块电极(42)，其与配线电连接，在第一面上的与配线所延伸的第一方向交叉的第二方向上，配线与凸块电极被连接的连接区域内的凹部的开口的总宽度窄于连接区域以外的区域内的凹部的开口宽度。

技术领域

本发明涉及一种液体喷射头等MEMS器件、液体喷射头、液体喷射装置以及MEMS器件的制造方法，尤其是涉及一种具备通过在被形成于基板上的凹部中埋入导电部而形成的配线的MEMS器件、液体喷射头、液体喷射装置以及MEMS器件的制造方法。

背景技术

MEMS(Micro Electro Mechanical Systems：微机电系统)器件在硅基板上具备压电元件等驱动元件、电子电路等，并被应用于各种液体喷射装置、显示装置或者振动传感器等。例如，在液体喷射装置中，从作为MEMS器件的一个方式的液体喷射头喷射(喷出)各种液体。在这样的MEMS器件中，采用将对用于使驱动元件等驱动的电信号进行处理的多个基板彼此电连接的结构。在这样的结构中，也提出了使用如下配线的结构，所述配线为，通过镀敷法或溅射法等而在槽状的凹部内埋入作为配线材料的铜(Cu)等导电部，并通过例如化学机械研磨法(CMP：Chemical Mechanical Polishing)而对在与凹部的开口相比向外侧隆起的多余的导电部进行研磨从而形成的埋入配线(例如，参照专利文献1)。

但是，在将上述的埋入配线形成于硅基板上的情况下，在基板上形成有多个埋入配线的结构中，上述的隆起的多余部分的厚度难以变得均匀，因此，在多余部分最为隆起的埋入配线中研磨至与基板的表面对齐为止时，与基板的材料(硅)相比较柔软的导电部容易更多地被削除，因此在其他的埋入配线中将会发生与基板的表面相比向相反侧的面侧塌陷的被称为碟形凹陷(dishing)的现象。当发生这样的碟形凹陷时，会在基板的表面与埋入配线之间产生高低差，因此存在被层压在该埋入配线上的配线断线或电阻值增加等风险，并且可能会成为损害MEMS器件的可靠性的原因。

专利文献1：日本特开2005-353633号公报

发明内容

本发明是鉴于这种情况而完成的发明，其目的在于，提供一种能够抑制埋入配线中的碟形凹陷的MEMS器件、液体喷射头、液体喷射装置以及MEMS器件的制造方法。

本发明的MEMS器件是为了达成上述目的而提出的，其特征在于，具备：配线，其通过在于基板的第一面开口的凹部中埋入导电部而形成；和凸块电极，其与所述配线电连接，在所述第一面上的与所述配线所延伸的第一方向交叉的第二方向上，所述配线与所述凸块电极被电连接的连接区域内的所述凹部的开口的总宽度窄于所述连接区域以外的区域内的所述凹部的开口的宽度。

根据上述结构，由于连接区域内的凹部的开口的总宽度窄于连接区域以外的区域内的凹部的开口宽度，因此能够对被填充于凹部内的导电部与基板的表面相比而塌陷的所谓的碟形凹陷进行抑制。因此，抑制了基板的表面与凹部的开口内的导电部之间的高低差，因此能够减少在该高低差处层压于配线上的配线的断线或电阻值的增加等不良情况。此外，由于在连接区域内不易产生配线的高度(基板彼此的层压方向上的位置)的偏差，因此在凸块电极被按压到配线上而与配线电连接时，能够减轻导通所需的载荷。

在上述结构中，优选为采用如下结构，即，所述配线在所述连接区域内的所述凹部的开口内具有对所述凸块电极进行支承的支承部。

根据该结构，在配线与凸块电极连接时，通过支承部而对凸块电极进行支承，并且通过该支承部而承接载荷，因此能够在减轻连接时的载荷的同时，更可靠地确保导通。

在上述结构中，优选为采用如下结构，即，所述连接区域内的所述凹部的开口边缘与所述连接区域以外的区域内的开口边缘相比，向在所述第二方向上对置的开口边缘侧突出。