[发明专利]箝位电路及箝位电压的方法

权利要求书

1.一种箝位电路，包括：

第一开关控制单元，包括控制端以及第一开关端和第二开关端，其中，所述控制端和所述第一开关端耦接至比较器的第一级输出的高电势端，并且其中，所述第一开关控制单元被配置为在所述高电势端的电压低于第一预定值(V1)时，将所述高电势端的电压箝位至第一电压(V_Gate1)；以及

第二开关控制单元，包括控制端以及第一开关端和第二开关端，其中，所述控制端和所述第一开关端耦接至所述比较器的所述第一级输出的低电势端，并且其中，所述第二开关控制单元被配置为在所述低电势端的电压高于第二预定值(V₂)时，将所述低电势端的电压箝位至第二电压(V_Gate2)。

2.根据权利要求1所述的箝位电路，其中，所述第一开关控制单元和所述第二开关控制单元中的每一个包括：使用相应的所述第一开关控制单元和所述第二开关控制单元的控制端能选择的第一开关端与第二开关端之间的低阻抗状态和高阻抗状态。

3.根据权利要求1所述的箝位电路，其中，所述第一开关控制单元是第一金属氧化物半导体场效应晶体管，并且

其中，所述第二开关控制单元是第二金属氧化物半导体场效应晶体管。

4.根据权利要求3所述的箝位电路，其中，所述第一金属氧化物半导体场效应晶体管在所述高电势端的电压高于或等于所述第一预定值时截止，并且在所述高电势端的电压低于所述第一预定值时导通，以箝位所述高电势端的电压，并且

其中，所述第二金属氧化物半导体场效应晶体管在所述低电势端的电压低于或等于所述第二预定值时截止，并且在所述低电势端的电压高于所述第二预定值时导通，以箝位所述低电势端的电压。

5.根据权利要求1所述的箝位电路，包括：

第一偏置单元，所述第一偏置单元耦接至所述第一开关控制单元、耦接在所述高电势端与所述低电势端之间，所述第一偏置单元被配置为在所述低电势端的电压被箝位的情况下，箝位所述高电势端的电压；以及

第二偏置单元，所述第二偏置单元耦接至所述第二开关控制单元、耦接在所述高电势端与所述低电势端之间，所述第二偏置单元被配置为在所述高电势端的电压被箝位的情况下，箝位所述低电势端的电压。

6.根据权利要求5所述的箝位电路，其中，所述第一偏置单元包括第三金属氧化物半导体场效应晶体管，所述第三金属氧化物半导体场效应晶体管被配置为使用所述第三金属氧化物半导体场效应晶体管的栅极电压来控制所述高电势端的最高电压值，并且

其中，所述第二偏置单元包括第四金属氧化物半导体场效应晶体管，所述第四金属氧化物半导体场效应晶体管被配置为使用所述第四金属氧化物半导体场效应晶体管的栅极电压来控制所述低电势端的最低电压值。

7.一种用于箝位电压的方法，包括：

在比较器的第一级输出的高电势端的电压低于第一预定值(V1)时，使用第一开关控制单元将所述高电势端的电压箝位至第一电压(V_Gate1)，其中，所述第一开关控制单元包括控制端以及第一开关端和第二开关端，并且其中，所述控制端和所述第一开关端耦接至所述比较器的所述第一级输出的所述高电势端；以及

在所述比较器的所述第一级输出的低电势端的电压高于第二预定值(V2)时，使用第二开关控制单元将所述低电势端的电压箝位至第二电压(V_Gate2)，其中，所述第二开关控制单元包括控制端以及第一开关端和第二开关端，并且其中，所述控制端和所述第一开关端耦接至所述比较器的所述第一级输出的所述低电势端。

8.根据权利要求7所述的用于箝位电压的方法，其中，所述第一开关控制单元和所述第二开关控制单元中的每一个包括：使用相应的所述第一开关控制单元和所述第二开关控制单元的控制端能选择的第一开关端与第二开关端之间的低阻抗状态和高阻抗状态。