[发明专利]抗辐射Sence‑Switch型nFLASH开关单元结构及其制备方法

权利要求书

1.一种抗辐射Sence-Switch型nFLASH开关单元结构，其特征是：nFLASH开关单元(44)包括制备于同一SOI衬底上的编程/擦除MOS管T1以及信号传输MOS管T2，所述SOI衬底的顶层硅膜(02A)内设有P阱(02B)；所述编程/擦除MOS管T1的编程/擦除管有源区(04A)、信号传输MOS管T2的信号传输管有源区(04B)均位于P阱(02B)内，并通过P阱(02B)内的有源区隔离体(03B)隔离；

在编程/擦除管有源区(04A)内设有编程/擦除管N+漏区(12A)以及编程/擦除管N+源区(12B)，在信号传输管有源区(04B)内设有信号传输管N+漏区(12C)以及信号传输管N+源区(12D)；

在信号传输管有源区(04B)、编程/擦除管有源区(04A)上设置HTO介质层(05)，所述HTO介质层(05)还覆盖于有源区隔离体(03B)以及编程/擦除管有源区(04A)上，编程/擦除管有源区(04A)上的HTO层(05)内具有贯通所述HOT层(05)的隧道孔(22)，在所述隧道孔(22)内填充隧道氧化层(06)，所述隧道氧化层(06)直接支撑于编程/擦除管有源区(04A)上；信号传输管N+漏区(12C)、信号传输管N+源区(12D)分别位于HTO介质层(05)的两侧，编程/擦除管N+漏区(12A)、编程/擦除管N+源区(12B)分别位于HTO介质层(05)的两侧；

在信号传输管有源区(04B)、编程/擦除管有源区(04A)的上方设置浮栅多晶层(07)，所述浮栅多晶层(07)覆盖于上述HTO介质层(05)以及隧道氧化层(06)上，在浮栅多晶层(07)上覆盖有ONO介质层(08)，在所述ONO介质层(08)上覆盖有控制栅多晶层(09)；在信号传输管有源区(04B)、编程/擦除管有源区(04A)上还设有侧墙(11)，所述侧墙(11)覆盖HOT介质层(05)、浮栅多晶层(07)、ONO介质层(08)以及控制栅多晶层(09)对应的外侧壁，且侧墙(11)分别与信号传输管N+漏区(12C)、信号传输管N+源区(12D)、编程/擦除管N+漏区(12A)以及编程/擦除管N+源区(12B)相应的区域交叠；

在P阱(02B)上还压盖有ILD介质层(15)，在所述ILD介质层(15)上设有金属层(16)，所述金属层(16)包括编程/擦除管金属体以及信号传输管金属体，所述编程/擦除管金属体包括与编程/擦除管N+漏区(12A)欧姆接触的编程/擦除管漏极金属(16A)以及与编程/擦除管N+源区(12B)欧姆接触的编程/擦除管源极金属(16B)，所述信号传输管金属体包括与信号传输管N+漏区(12C)欧姆接触的信号传输管漏极金属以及与信号传输管N+源区(12D)欧姆接触的信号传输管源极金属。

2.根据权利要求1所述的抗辐射Sence-Switch型nFLASH开关单元结构，其特征是：所述编程/擦除管金属体还包括编程/擦除管P+金属(16C)，所述编程/擦除管P+金属(16C)与编程/擦除管有源区(04A)内的编程/擦除管P+区域(13A)欧姆接触；

所述信号传输管金属体还包括信号传输管P+金属，所述信号传输管P+金属与信号传输管有源区(04B)内的信号传输管P+区域欧姆接触。

3.根据权利要求1所述的抗辐射Sence-Switch型nFLASH开关单元结构，其特征是：当同一SOI衬底上具有多个nFLASH开关单元(44)时，对同一行内相邻的两nFLASH开关单元(44)间，通过开关单元隔离体(03A)隔离；

在信号传输管有源区(04B)、编程/擦除管有源区(04A)的上方设置浮栅多晶层(07)后，对浮栅多晶层(07)刻蚀得到贯通浮栅多晶层(07)的浮栅腐蚀窗口(33)，所述浮栅腐蚀窗口(33)位于开关单元隔离体(03A)的正上方，ONO介质层(08)覆盖在浮栅多晶层(07)上并填充浮栅腐蚀窗口(33)。

4.根据权利要求3所述的抗辐射Sence-Switch型nFLASH开关单元结构，其特征是：所述开关单元隔离体(03A)与有源区隔离体(03B)为同一工艺制造层，所述HTO介质层(05)的厚度为