[发明专利]成膜装置、成膜制品的制造方法及电子零件的制造方法

说明书

本发明提供一种即便不使用冷却单元也可抑制电子零件的温度上升并进行微米级的成膜的成膜装置、成膜制品的制造方法及电子零件的制造方法。包括：腔室，其为供溅射气体导入的容器；搬送部，设置在腔室内，以圆周的轨迹循环搬送工件；以及成膜处理部，具有通过溅射而使成膜材料堆积于由搬送部循环搬送的工件来进行成膜的溅射源，并且具有对利用溅射源使工件成膜的成膜部位加以划分的划分部。划分部是为了对各成膜处理部加以划分而配置，以使得圆周的轨迹中，在成膜中的成膜部位以外的区域经过的轨迹比在成膜中的成膜部位经过的轨迹更长。

技术领域

本发明涉及一种成膜装置、成膜制品的制造方法及电子零件的制造方法。

背景技术

以移动电话为代表的无线通信设备中，搭载有许多作为电子零件的半导体装置。为了防止对通信特性的影响，半导体装置谋求抑制电磁波向外部的泄露等电磁波对内外的影响。因此，一直使用具有对电磁波的屏蔽功能的半导体装置。

一般而言，半导体基板是通过在作为用于对安装基板进行中转的基板的中介层(interposer)基板上搭载半导体芯片，并利用树脂将所述半导体芯片密封而形成。开发有一种通过在所述密封树脂的上表面及侧面设置导电性的屏蔽膜而赋予屏蔽功能的半导体装置(参照专利文献1)。将所述屏蔽膜称为电磁波屏蔽膜。

作为电磁波屏蔽膜，例如可使用铜(Cu)、镍(Ni)、钛(Ti)、金(Au)、银(Ag)、钯(Pd)、铂(Pt)、铁(Fe)、铬(Cr)、不锈钢(SUS)、钴(Co)、锆(Zr)、铌(Nb)等金属材料。并且，电磁波屏蔽膜有时会被制成使用所述金属材料的任意多种材料的层叠膜。例如，已知有在形成有SUS膜的基础上形成Cu膜，进而在其上形成SUS膜的层叠结构的电磁波屏蔽膜。

关于电磁波屏蔽膜，为了获得充分的屏蔽效果，需要降低电阻率。因此，对电磁波屏蔽膜要求某种程度的厚度。关于半导体装置，一般而言，若为1μm～10μm左右的膜厚，则可获得良好的屏蔽特性。就所述SUS、Cu、SUS的层叠结构的电磁波屏蔽膜而言，已知若为1μm～5μm左右的膜厚，则可获得良好的屏蔽效果。

[现有技术文献]

[专利文献]

[专利文献1]国际公开第2013/035819号公报

发明内容

[发明所要解决的问题]

作为电磁波屏蔽膜的形成方法，已知有镀敷法。但是，镀敷法需要前处理步骤、镀敷处理步骤、及水洗之类的后处理步骤等湿式步骤，因此不可避免半导体装置的制造成本的上升。

因此，作为干式步骤的溅射法受到瞩目。作为利用溅射法的成膜装置，提出有使用等离子体进行成膜的等离子体处理装置。等离子体处理装置将惰性气体导入配置有靶材的真空容器，施加直流电压。使经等离子体化的惰性气体的离子与成膜材料的靶材碰撞，并使自靶材赶出的材料堆积于工件来进行成膜。

一般的等离子体处理装置被用于能够在几十秒至几分钟的处理时间内形成的厚度为10nm～数100nm的膜的形成中。但是，如上所述，作为电磁波屏蔽膜，需要形成微米级厚度的膜。由于溅射法是使成膜材料的粒子堆积于成膜对象物上来形成膜的技术，因此所形成的膜越厚，膜的形成所需的时间越长。

因此，为了形成电磁波屏蔽膜，需要比一般的溅射法更长的几十分钟至一小时左右的处理时间。例如，就SUS、Cu、SUS的层叠结构的电磁波屏蔽膜而言，为了获得5μm的膜厚，有时需要一小时多的处理时间。

如此，使用等离子体的溅射法中，在所述处理时间内，半导体封装体会一直暴露于等离子体的热中。结果，至获得厚度5μm的膜为止，有时会将半导体封装体加热至200℃上下。